論文

Si基板に及ぼす応力を評価し、それがB拡散に与える影響を明らかにした。

プラズマ照射したSi基板でショットキーダイオードを作製し、逆バイアス・アニーリング後のキャリア密度分布評価から欠陥の挙動を明らかにした。

Si（111）面上のチタンシリザイド化過程を明らかにした。

Si（111）面上のボロン吸着による√3x√3構造をSTMにより明らかにした。

SiのMBE成長のため一般的に用いられている表面クリーニング法をSi膜中の酸素、炭素残留量の観点から比較し、もっとも適切な方法を示した。

分子線エピタキシャル成長のためのGe基板表面のクリーニング法を詳述した。

Ge基板に対し、汚染の少ない表面クリーニング法を開発し、その表面特性を明らかにした。

低圧MO（有機金属）CVD法によりCuAlxGa1-xSe2混晶半導体を成長させ、その結晶特性を明らかにした。

レーザCVD法で堆積させたGe膜とSi基板をレーザ溶融させ、Si1-xGex /Si（100）ヘテロ構造を成長させ、その結晶性、ドーピング特性を明らかにした。

InGaAs/InAlAsヘテロ構造においてBrラジカルを用いたエッチング特性を明らかにした。

ガスソースMBEを利用して作製されたSi/√3x √3/Si（111）サンドイッチ構造の電気的特性に負性抵抗が見られることを示した。

イオン注入後のアニーリングによるSi中のボロン拡散と拡張欠陥に及ぼす窒化膜（Si3N4）の影響を実験的に明らかにした。

高エネルギーPイオン注入により発生したn型Si中の二次欠陥と深い準位の特製を明らかにした。

HBｒとH2Sガスを用いて、化合物半導体InAlAsの光化学エッチングと表面保護の連続ドライプロセス技術を開発した。

有機金属原料テトラエチルゲルマンをAｒFエキシマレーザを用いたCVD法によりアモルファス混晶半導体SiGeを作製し、その電気的・光学的特性を明らかにした。

波長172nmのエキシマランプを用いて、HBrの光化学作用によりInGaAs/InAlAsヘテロ構造の選択的エッチング技術を開発し、その特性を明らかにした。

GaAs基板に成長させたCuAlSe2エピタキシャル膜のフォトルミネッセンスを詳細に調べ，各々のピークとバンド構造との対応を明らかにした。

Si中のボロン拡散に与える表面に堆積した窒化膜の影響を調べたもの。窒化膜厚，アニーリング時間に依存したボロン拡散の減速が明らかとなった。

チャネル長 0.1μｍ以下のCMOSやバイポーラトランジスタでは，50nm以下の極めて浅い接合を形成することが要求される。イオン注入も含め, レーザドーピング, その他の新しい技術を検討した。

ヨウ素輸送法により作製した５元カルコパイライト型半導体結晶Cu（AlxGal-x）SSeの結晶成長特性およびその光学的特性をフォトリフレクタンス法とフォトルミネッセンス法により明らかにした論文。