論文
松本 智
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The effect of Fowler-Nordheim tunneling current on thin SiO2 Metal-Oxide-Semiconductor capacitors
- 著者名
- 細居隆志，秋沢 充，松本 智
- 掲載誌名
- 誌名J.Appl.Phys 開始ページ2027?2076（1985） (出版年（月日）1985年03月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Time and temperture dependence of density of oxidation-induced stacking faults in diamond-lapped silicon
- 著者名
- 石原一郎，金子洋之，松本 智
- 掲載誌名
- 誌名Japan.J.Appl.Phys 開始ページL620?623（1984） (出版年（月日）1984年08月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
The retarded deffusion of arsenic in silicon by thermal oxidation in extrinsic condition
- 著者名
- 石川 豊，松本 智，新美達也
- 掲載誌名
- 誌名J.Electrochem.Soc 開始ページ2109?2111（1983） (出版年（月日）1983年10月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Thermal nitridation of silicon in nitrogen plasma
- 著者名
- 中村 均，金子 勝，松本 智
- 掲載誌名
- 誌名Appl.Phys.Lett 開始ページ691?693（1983） (出版年（月日）1983年10月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Oxidation enhanced and concentration dependent diffusions of in silicon
- 著者名
- 松本 智，石川 豊，新美達也
- 掲載誌名
- (出版年（月日）1983年09月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Two｀dimensional analysis of thermal oxidation of silicon
- 著者名
- 先名康治，大野恒夫，松本 智
- 掲載誌名
- 誌名Japan.J.Appl.Phys 開始ページL514?516（1983） (出版年（月日）1983年08月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Negative Differential Resistance in Ferro-Magnetic Semiconductor CsCr2Se4 Single Crystals
- 著者名
- 川上秀明，松本 智，新美達也
- 掲載誌名
- 誌名Phys.Stat.Sol.(a) 開始ページ433?439（1983） (出版年（月日）1983年02月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
イオン注入シリコンの高温短時間熱アニ-リング
- 著者名
- 松本 智，柏原慶一，牧 浩文，新美達也
- 掲載誌名
- 誌名真空 開始ページ788?794（1982） (出版年（月日）1982年12月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
CW Laser Annealed Solar Cells
- 著者名
- 松本 智，ギボンズ，ウー
- 掲載誌名
- 誌名J.Appl.Phys 開始ページ821?827（1982） (出版年（月日）1982年10月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
The Enhanced Diffusion of Arsenic and phosphorus in Silicon by Thermal Oxidation
- 著者名
- 石川 豊，先名康治，田中 等，松本 智，新美達也
- 掲載誌名
- 誌名J.Electrochem.Soc 開始ページ644?648（1982） (出版年（月日）1982年03月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
High-Temperature Scanning CW Laser lnduced Diffusion of Arsenic and Phosphorus in Si
- 著者名
- 松本 智，ギボンズ，デライン，エバンズ
- 掲載誌名
- 誌名Appl.Phys.Lett 開始ページ821?823（1980） (出版年（月日）1980年11月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Carrier Concentration and Hall Mobility in Heavily Arsenic-Diffused Silicon
- 著者名
- 松本 智，新美達也，室田淳一，荒井英輔
- 掲載誌名
- 誌名J.Electrochem.Soc 開始ページ1650?1652（1980） (出版年（月日）1980年07月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Concentration Dependence of the Diffusion Coefficient of Boron in Silicon
- 著者名
- 松本 智，石川 豊，白井由基，関根 聡，新美達也
- 掲載誌名
- 誌名Japan.J Appl.Phys 開始ページ217?218（1980） (出版年（月日）1980年01月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Antimony Diffusion into Silicon by the Doped Oxide Method
- 著者名
- 宋成海，松本 智，新美達也
- 掲載誌名
- 誌名Japan.J Appl.Phys 開始ページ2181?2182（1979） (出版年（月日）1979年）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Effect of Diffusion induced Strain and Dislocation on Phosphorus Diffusion into Silicon
- 著者名
- 松本 智，赤尾 泰，小桧山清之，新美達也
- 掲載誌名
- 誌名J.Electrochem.Soc 開始ページ1840?1845（1978） (出版年（月日）1978年11月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Concetration Dependence of Diffusion Coefficient at Phosphorus Diffusion in Germanium
- 著者名
- 松本 智，新美達也
- 掲載誌名
- 誌名J.Electrochem.Soc 開始ページ1307?1309（1978） (出版年（月日）1978年08月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Electrical Properties of Amorphous Semiconductor GexS1-x
- 著者名
- 吉村守弘，多田昌人，林 義明，松本 智，新美達也
- 掲載誌名
- 誌名Japan.J Appl.Phys 開始ページ1457?1458（1978） (出版年（月日）1978年08月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
The Distribution of the Excess Vacancies in the Bulk at the Diffusion of Phosphorus into Silicon
- 著者名
- 松本 智，荒井英輔，中村 宏，新美達也
- 掲載誌名
- 誌名Japan.J Appl.Phys 開始ページ1177?1185（1977） (出版年（月日）1977年07月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
シリコンへの燐拡散における過剰空格子点の発生
- 掲載誌名
- 誌名応用物理 開始ページ546?573（1977） (出版年（月日）1977年05月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Phosphorus diffusion into Silicon under the Condition of Controled Surface Concentration
- 著者名
- 松本 智，新美達也
- 掲載誌名
- 誌名Japan.J Appl.Phys 開始ページ2077?2082（1976） (出版年（月日）1976年11月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し