松本　智

マツモト　サトル

Matsumoto, Satoru

理工学部/名誉教授

基本情報

研究者番号

00101999

略歴

総合紹介

半導体エレクトロニクス　半導体材料のエピタキシャル成長（Si基板上へのGaN、ガスソースMBEによる高純度３０Si）　プロセス技術（点欠陥機構に基づくSi自己、ドーパント拡散の解明、イオン注入Siの電気的　　　　　　　　活性化、単原子ドーパント層Si２次元構造の電気特性、STMによるSi表面）　デバイス作成（単一電子トランジスタの作成、小型光増幅器の作成）