慶應義塾
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極低温におけるMOSFETのkink現象

著者名
松本 智,その他
掲載誌名
誌名電気学会論文誌C 開始ページ764?768 (出版年(月日)1989年11月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Role of Electron Traps on Thermal Conversion and Its Suppression for Liquid-Encapsulated Cz GaAs

著者名
松本 智,その他
掲載誌名
誌名Japan.J.Appl.Phys 巻Vol.28(号No.10) (出版年(月日)1989年10月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Growth Mechanism of Direct Writing of Si in Ar Laser CVD

著者名
松本 智,その他
掲載誌名
誌名Mat.Res.Soc.Symp. Proc 巻Vol.129(号No.9) 開始ページ189?194 (出版年(月日)1989年09月)
共著区分
共著
査読有無
無し

エキシマレーザーによるシリコンへのボロンの浅い接合

著者名
松本 智
掲載誌名
誌名電気化学および工業物理化学 巻Vol.57(号No.8) 開始ページ766?769 (出版年(月日)1989年08月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Optical Measurement of the Melt Depth During Pulsed Laser Irradiation

著者名
松本 智,その他
掲載誌名
誌名Japan.J.Appl.Phys 巻Vol.28(号No.9) 開始ページL1657?L1659 (出版年(月日)1989年07月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Effect of Melt Stoichiometry on Carrier Concentration Profiles of Si Diffusion in Undoped LEC SI-GaAs

著者名
松本 智,その他
掲載誌名
誌名J.Electrochem.Soc 巻Vol.136(号No.4) 開始ページ1165?1168 (出版年(月日)1989年04月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Deep Level Induced by Thermal Oxidation in CZn-Type Silicon

著者名
長谷川武裕,松本 智
掲載誌名
誌名Japan,J.Phys.,27,1906(1988). (出版年(月日)1988年10月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Effects of controlled As pressure anneaking on deep levels of liquid-encapsulated Czochralski GaAs single crystals

著者名
秩父重英,大久保教夫,松本 智
掲載誌名
誌名J.Appl.Phys.,64,3987(1988). (出版年(月日)1988年10月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Characterization of gas-source molecular Beam epitaxial growth of strain-compensated Si1-x-yGexCy/Si(100)

著者名
T. Akane, T. Ishikawa
掲載誌名
誌名, S.matsumoto Journal of Crystal Growth 開始ページ80-86(1999) (出版年(月日)1999年)
共著区分
共著
査読有無
無し

Effect of Boron on Solid Phase Epitaxy of Ge on Si(111)

著者名
T.Yamamoto,K.Ezoe,K.Ishii,S.Matsumoto
掲載誌名
誌名International Symposium on Surface Science For Micro-and Nano Device Fabrication Nov.,1999, Tokyo (出版年(月日)1999年11月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Effect of Si3N4 films on TED, Loss and Activation of Phosphorus in CZ-Si

著者名
K.Saitou,T.Takagi,S.Matsumoto
掲載誌名
誌名Joint International Meeting(Electrochemical Society,Oct.1999,Hawaii) (出版年(月日)1999年10月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Anomalous Photoluminescence in SOIwafers and its application to wafer characterization

著者名
M.Tajima,T.Karasawa,S.Matsumoto
掲載誌名
誌名The 8th International Conference on Defects-Recognition,Imaging and Physics in Semiconductors, Sep.,1999,Narita (出版年(月日)1999年09月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Effect of Ti Evaporation on High Temperature Si Substrate on TiSi2

著者名
K.Ezoe,T.Yamamoto,K.Ishii,S.Matsumoto
掲載誌名
誌名International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructure, Sep.1999,Sendai (出版年(月日)1999年09月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Phosphorus diffusion from doped polysilicon through ultrathin SiO2 films into Si substrates

著者名
Y.Tsubo,S.Matsumoto,Y.Sato,E.Arai,
掲載誌名
誌名Electrochemical Society Meeting,Proceedings 開始ページ116-122 (出版年(月日)1999年05月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Initial stage of Si(111)-B surface reconstruction studied by scanning tunneling microscopy

著者名
T.Yamamoto, S.Matsumoto
掲載誌名
誌名Appl.Surf.Sci. (出版年(月日)1998年06月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Scanning tunneling microscopy study of initial growth of titanium silicide on Si(111)

著者名
K.Ezoe, H.Kuriyama, S.Matsumoto
掲載誌名
誌名Appl.Surf.Sci. (出版年(月日)1998年06月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Stress in Silicon Nitride Films and its Effect on Boron Diffusion in Silicon

著者名
S.Matsumoto, K.Osada
掲載誌名
誌名Defect and Diffusion Forlum (出版年(月日)1998年04月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Low temperature growth of Si on Si(111) by gas-source MBE with rapid thermal annealing

著者名
H.Okumura, T.Akane, S.Matsumoto
掲載誌名
誌名Appl.Surf.Sci (出版年(月日)1998年04月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Fraction of Interstitialcy Component of Phosphorus and Antimony Diffusion in Silicon

著者名
T.Shimizu, T.Takagi, S.Matsumoto
掲載誌名
誌名Jpn.J.Appl.Phys 開始ページ1184-1187(1998) (出版年(月日)1998年03月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Carbon contamination Free Ge(100) Surface Cleaning for MBE

著者名
H.Okumura, T.Akane, S.Matsumoto
掲載誌名
誌名Appl.Surf.Sci 開始ページ125-128 (1998) (出版年(月日)1998年01月)
共著区分
共著
査読有無
無し