論文
松本 智
81~100件（全143件）
The use of tertialbuthylarsine in ArF excimer laser As doping into Si
- 著者名
- S. Chichibu, T. Nii, T. Akane and S. Matsumoto
- 掲載誌名
- 誌名J.Vac.Sci.and Tec 開始ページ341-343 (出版年（月日）1993年04月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Monoeneritic positron beam study of heavily Si-doped GaAs grown by MOCVD
- 著者名
- S. Chichibu, A. Iwai, Y. Nakahara,S. Matsumoto, L. Wei and S. Tanigawa
- 掲載誌名
- 誌名Materials Science Forum 開始ページ243-248 (出版年（月日）1993年04月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Monoenergitic positron beam study of heavily Si-doped GaAs Grown by MOCVD tertiarybutylarsine
- 著者名
- S. Chichibu, A. Iwai, Y. Nakahara,S. Matsumoto, H. Higuchi, L. Wei and S. Tanigawa
- 掲載誌名
- 誌名J.Appl.Phys 開始ページ3880-3885 (出版年（月日）1993年04月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
LP-MOCVD growth of CuAlSe2 epitaxial layers
- 著者名
- S. Chichibu, A. Iwai, S. Matsumoto and H. Higuchi
- 掲載誌名
- 誌名J.Crystal Growth 開始ページ635-642 (出版年（月日）1993年04月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Heavily As doping in Si by ArF excimer laser doping
- 著者名
- S. Chichibu, T. Nii, T. Akane and S. Matsumoto
- 掲載誌名
- 誌名Materials Science Forum 開始ページ243-248 (出版年（月日）1993年04月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Characterization of excimer laser annealing of As implanted Si
- 著者名
- T. Akane, T. Nii and S. Matsumoto
- 掲載誌名
- 誌名Materials Science Forum 開始ページ237-242 (出版年（月日）1993年04月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
レーザードーピング
- 著者名
- 松本 智
- 掲載誌名
- 誌名オプトロニクス 開始ページ78?84 (出版年（月日）1993年03月）
- 共著区分
- 単著
- 査読有無
- 無し
Use of teriarybutylarsine in ArF excimer laser doping of arsenic into silicon
- 著者名
- S. Chichibu, T. Nii, T. Akane, S. Matsumo
- 掲載誌名
- 誌名J.Vac.Sci.Techno 開始ページ1?3 (出版年（月日）1993年01月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Thermal conversion of semi-insulating GaAs in high temperature annealing
- 著者名
- N. Ohkubo, M. Shishikura, S. Matsumoto
- 掲載誌名
- 誌名J.Appl.Phys 開始ページ615?618 (出版年（月日）1993年01月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Photoreflectance study of CuAlSe2 heterostructure layers
- 著者名
- S. Shirakata, S. Chichibu, S. Matsumoto,S. Isomura
- 掲載誌名
- 誌名Jpn.J.Appl.Phys (出版年（月日）1993年01月）
- 共著区分
- 単著
- 査読有無
- 無し
LP-MOCVD growth of CuAlSe2 epitaxial layers
- 著者名
- S. Chichibu, A. Iwai, C. Matsumoto,H. Higuchi
- 掲載誌名
- 誌名J.Cry.Growth 開始ページ635?642 (出版年（月日）1993年01月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Two-step doping using excimer laser in boron doping of silicon
- 著者名
- A. Akane, T. Nii, S. Matumoto
- 掲載誌名
- 誌名Jpn.J.Appl.Phys 開始ページ4437?4440 (出版年（月日）1992年12月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Chemical vapor deposition of Cu films on SiO2 using cyclopentadienycoppertriethylphosphine
- 著者名
- S. Chichibu, N. Yoshida, H. Higuchi,S. Matsumoto
- 掲載誌名
- 誌名Jpn.J.Appl.Phys 開始ページL1778?1780 (出版年（月日）1992年12月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
ArF excimer laser chemical vapor deposition a-Si:H/a-A10 superlattice
- 著者名
- K. Uwasawa, F. Ishihara, S. Matsumoto
- 掲載誌名
- 誌名Thin Solid Films 開始ページ62?67 (出版年（月日）1992年11月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
X-ray photoelectron spectroscopy analysis of photostimulated chemical vapor deposition hydrognated amorphous silicon/amorphous aluminum oxide
- 著者名
- K. Uwasawa, F. Ishihara, S. Matsumoto
- 掲載誌名
- 誌名Appl.Phys.Lett 巻Vol.60(号No.10) 開始ページ1208?1210 (出版年（月日）1992年03月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Heavily Si-doped GaAs grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine and silane
- 著者名
- S. Chichibu, S. Matsumoto
- 掲載誌名
- 誌名Appl.Phys.Lett. 巻Vol.60(号No.4) 開始ページ489?491 (出版年（月日）1992年01月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Precise Control of Sheet Resistance in Boron Doping of Silicon by Excimer Laser Irradiation
- 著者名
- S. Inui, T. Nii, S. Matsumoto
- 掲載誌名
- 誌名IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 巻Vol.12(号No.12) 開始ページ702?703 (出版年（月日）1991年12月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
Electrical and optical properties of CuAlSe2 grown by iodine chemical vapor transport
- 著者名
- 松本 智, 秩父重英
- 掲載誌名
- 誌名J.Appl.Phys 巻Vol.70(号No.8) 開始ページ1648?1655 (出版年（月日）1991年08月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
エキシマレーザMOCVDによるa-Si:H/a:AlO超格子の作製とその特性
- 著者名
- 松本 智，和田純一
- 掲載誌名
- 誌名電気学会論文誌C (出版年（月日）1990年12月）
- 共著区分
- 共著
- 査読有無
- 無し
低温ＣＭＯＳコンピュータ
- 著者名
- 松本 智
- 掲載誌名
- 誌名低温工学 巻Vol.25(号No.3) 開始ページ142-149 (出版年（月日）1990年03月）
- 共著区分
- 単著
- 査読有無
- 無し