論文

松本　智

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Comparison of Boron Diffusion in Silicon during Shallow p+/n Formation by Non-Melt Excimer and Green Laser Annealing

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Phys. Status Solidi (a) 巻208(号12) 開始ページ1002 (出版年（月日）2011年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 有り

Boron Diffusion in Silicon during Shallow p+/n Junction Formation by Non-Melet Excimer Laser Annealing

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Phys. Status. Solidi 巻208(号7) 開始ページ1646-1651 (出版年（月日）2011年07月）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Quantitative Estimation of strained Si/SiGe Heterostructure using C-V　チャラcて李s知cs雄fstら稲dSi MOS capactor

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名ECS Transactions 巻25(号3) 開始ページ179-185 (出版年（月日）2009年03月）
共著区分: 単著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Diffusion of Arsenic through strained Si/relaxed SiGe heterostructures

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名J. Electrochem. Soc 巻155(号4) 開始ページH210-H212 (出版年（月日）2008年04月）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Cathodeluminescence investigation of relaxed layer and composition graded SiGe layer

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Jpn. J. Appl. Phys. 巻46(号11) 開始ページ1463-1465 (出版年（月日）2007年11月）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Investigation of dislocations in composition graded and strain relaxed SiGe epitaxial layer by cathodeluminescence

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Materials Science in Semiconductor Processing 巻9(号6) 開始ページ794-797 (出版年（月日）2006年06月）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Single Electron Transistor fabricated with SOI wafer

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Material Science and Engineering 巻C26(号1) 開始ページ889-892 (出版年（月日）2006年01月）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Determination of Silicon self-interstitial diffusivity using isotopically pure 30Si multi-layer

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Materials Science and Engineering 開始ページ334-338 (出版年（月日）2004年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Si self-diffusivity using isotopically pure 30Si epitaxial layers

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Materials Science and Engineering 開始ページ330-333 (出版年（月日）2004年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Self-diffusion in intrinsic and extrinsic silicon using isotopically pure 30Si/natural Si heterostructures

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Jpn. J. Appl. Phys. 開始ページ3304-3310 (出版年（月日）2003年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Type and charge state of point defects in heavily As-- and B-doped Si

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Materials Science in Semiconductor Processing 開始ページ15-19 (出版年（月日）2003年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Growth of GaN on Si substrate-role of BP thin layer

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Optical Materials 開始ページ223-228 (出版年（月日）2002年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Growth of GaN on Si(100) substrate using BP as a buffer layer

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Materials and Science Engineering 開始ページ135-138 (出版年（月日）2002年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Variation of Si melt viscosity with boron addition

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Journal of Crystal Growth 開始ページ1667-1670 (出版年（月日）2002年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Formation Ge quantum dots on boron-reconstructed surface/Si(111)

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Materials Science and Engineering 開始ページ188-190 (出版年（月日）2002年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Effect of Nitrogen segregation on TED and loss of phosphorus in CZ Si

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 開始ページ313-317 (出版年（月日）2002年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Effect of Vacancy double acceptor level on Si self-diffusion under heavy doping condition

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Electrochemcal Society Proc. 開始ページ248-253 (出版年（月日）2002年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Initial Growth of titanium germanosilicide on Ge/Si(111)

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Applied Surface Science 開始ページ90-95 (出版年（月日）2001年）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

Self-diffusion in Extrinsic Silicon Using Enriched 30Si

著者名: 松本智
掲載誌名: 誌名Jpn. J. Appl. Phys. 巻40(号11) 開始ページ1131-1140 (出版年（月日）2001年11月）
共著区分: 共著
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
査読有無: 無し

“The effect of elevated silicon substrate temperature on TiSi2 formation from a Ti film”, -247.

著者名: K. Ezoe, T. Yamamoto, K. Ishii and S. Matsumoto
掲載誌名: 誌名Thin Solid Films, 369(2000)244 (出版年（月日）2000年）
共著区分: 共著
査読有無: 無し

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