慶應義塾
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“Effect of Boron on Solid Phase Epitaxy of Ge on Si(111) surface”

著者名
T. Yamamoto, K. Ezoe, K. Ishii and S. Matsumoto
掲載誌名
誌名, Jpn. J. Appl. Phys 開始ページ4545-4548 (出版年(月日)2000年)
共著区分
共著
査読有無
無し

”Phosphorus Diffusion from Doped Polysilicon through Ultra-Thin SiO2 Films into Si Substrates”

著者名
Y. Tsubo, K.. Saitou, S. Matsumoto
掲載誌名
誌名, Jpn. J. Appl. Phys 開始ページL955-957 (出版年(月日)2000年)
共著区分
共著
査読有無
無し

“Epitaxial Growth of Pure 30Si Layers on a Natural Si(100) Substrate Using Enriched

著者名
Y. Nakabayashi, T. Segawa, O. Hirman and S. Matsumoto, J. Murota, K. Wada and T. Abe
掲載誌名
誌名30SiH4: , Jpn. J. Appl. Phys (出版年(月日)2000年)
共著区分
共著
査読有無
無し

“Self-Diffusion in Extrinsic Silicon Using Enriched 30Si”, )L1133-L1134.

著者名
Y. Nakabayashi, T. Segawa, O. Hirman and S. Matsumoto, J. Murota, K. Wada and T. Abe:
掲載誌名
誌名Jpn. J. Appl. Phys 開始ページL181-L182 (出版年(月日)2000年)
共著区分
共著
査読有無
無し

Effect of Carbon Concentration on the Thermal Conversion of Liquid-Encapsulated Czochralski Semi-Insulating GaAs

著者名
大久保教夫,秩父重英,松本 智
掲載誌名
誌名Appl.Phys.Lett.,53,1054(1988). (出版年(月日)1988年09月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Effect of Dopant Concentration on Oxidation-Induced Stacking Faults in Boron-Doped CZ Silicon

著者名
秩父重英,原田 剛,松本 智
掲載誌名
誌名Japan.J.Appl.Phys.,27,L1543(1988). (出版年(月日)1988年08月)
共著区分
共著
査読有無
無し

レーザードーピング

著者名
松本 智
掲載誌名
誌名レーザー研究 巻Vol.16(号No.8) 開始ページ498(1988) (出版年(月日)1988年08月)
共著区分
単著
査読有無
無し

Phosphorus Doping into Silicon Using ArF Excimer Laser

著者名
加藤慎一,佐伯秀雄,和田純一,松本 智
掲載誌名
誌名J.Electrochem.Soc.,135,1030(1988) (出版年(月日)1988年04月)
共著区分
共著
査読有無
無し

The Effect of Fowler-Nordheim Tunneling Current Stress on Mobility in n-Channel MOSFET's

著者名
秋沢 充,松本 智
掲載誌名
誌名IEEE Trans.on Electron Device 巻Vol35(号No.2) 開始ページ245(1988) (出版年(月日)1988年02月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Thermal Generation of Frenkel Pair in Silicon

著者名
吉田正幸,松本 智
掲載誌名
誌名Keio Science and Technology Reports 開始ページ19?25(1987) (出版年(月日)1987年)
共著区分
共著
査読有無
無し

Effect of Carbon Concentration on the Electrical Properties of LEC Semi-Insulating GaAs

著者名
秩父重英,松本 智,小保方武
掲載誌名
誌名J.Appl.Phys 開始ページ4316?4318(1987) (出版年(月日)1987年11月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Arf Excimer Laser Doping of Boron into Silicon

著者名
加藤愼一,長堀 剛,松本 智
掲載誌名
誌名J.Appl.Phys 開始ページ3656?3661(1987) (出版年(月日)1987年11月)
共著区分
共著
査読有無
無し

The Effect of Thermal Oxidation of Silicon on Boron Diffusion in Extrinsic Conditions

著者名
石川 豊,松本 智,新美達也
掲載誌名
誌名Japan.J.Appl.Phys.,26,1602(1987). (出版年(月日)1987年09月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Computer simulation of impurity diffusion in semiconductor by the Monte Calro Method

著者名
秋山 彰,細居隆志,石原一郎,松本 智,新美達也
掲載誌名
誌名IEEE.Trans.CAD 開始ページ185〜190(1987) (出版年(月日)1987年03月)
共著区分
共著
査読有無
無し

シリコンの熱酸化に対する二次元解析

著者名
先名康治,大野恒夫,松本 智
掲載誌名
誌名電子通信学会論文誌 開始ページ1096?1103(1986) (出版年(月日)1986年09月)
共著区分
共著
査読有無
無し

エキシマレーザーによるボロンの浅い接合の形成

著者名
加藤慎一,長堀 剛,松本 智
掲載誌名
誌名レーザー研究 巻第14巻(号2) 開始ページ5?31(1986) (出版年(月日)1986年08月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Solutions of simulataneous equations for oxidation enhanced and retarded diffusions and oxidation stacking fault in silicon

著者名
吉田正幸,松本 智,石川 豊
掲載誌名
誌名Japan.J.Appl.Phys 開始ページ1031?1035(1986) (出版年(月日)1986年07月)
共著区分
共著
査読有無
無し

学部課程における半導体デバイス製作実験

著者名
岡部 豊,高橋信一,松本 智
掲載誌名
誌名応用物理教育研究会会報,39(1985) (出版年(月日)1985年)
共著区分
共著
査読有無
無し

The study on hole mobility in the inversion layer of p-channel MOSFET

著者名
金子 勝,成田 出,松本 智
掲載誌名
誌名IEEE,Electron Device Lett 開始ページ575?577(1985) (出版年(月日)1985年11月)
共著区分
共著
査読有無
無し

Growth characteristics of oxide precipitates in heavily doped silicon crystals

著者名
松本 智,石原一郎,金子洋之,原田 博,岡部孝夫
掲載誌名
誌名Appl.Phys.Lett 開始ページ957?960(1985) (出版年(月日)1985年05月)
共著区分
共著
査読有無
無し