(公財)電磁材料研究所の池田賢司主任研究員、小林伸聖研究主監、中国科学院の刘天際准教授、慶應義塾大学の太田泰友准教授および東京大学先端科学技術研究センターの岩本敏教授らの研究グループは、誘電率がゼロに近い値を示すENZ効果と呼ばれる特性をもつインジウム錫酸化物に注目し、実験解析および数値計算を行いました。その結果、光通信の波長帯域でENZ材料の磁気光学効果が大幅に増強されることを明らかにしました。
この成果は、従来技術では実現が困難であった集積型光アイソレータや一方向性トポロジカル光導波路などの実現可能性を拡大し、光回路のさらなる高密度集積化に貢献するほか、薄膜偏光素子や磁気センサーなどへの適用も期待されます。
本研究成果は、2023年9月15日(米国東部標準時)に米国科学誌「Advanced Optical Materials」のオンライン版に掲載されました。