慶應義塾大学理工学部機械工学科の閻 紀旺(やん じわん)教授の研究グループは、半導体デバイスや太陽電池の生産過程で大量に発生する廃シリコン粉末を主原料にバインダーや導電助剤などを添加し、銅箔表面へ塗布した後、特定条件下でのレーザ照射技術を用いて大きさ数ミクロンの単結晶シリコンピラーの形成に世界で初めて成功しました。本手法はピラーの形状や大きさ、傾斜角度および分布密度などを制御することでシリコンの体積膨脹を完全に緩和できるため、高容量、長寿命かつ低コストのリチウムイオン電池負極を作るための新しい製造プロセスの可能性を示すものとして期待されます。
本研究成果の一部は、2017 年7月8日に、国際生産工学アカデミー(CIRP)の機関誌『CIRP Annals - Manufacturing Technology』のオンライン版で公開されました。
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