論文
石黒 仁揮
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Fabirication of Si Nano-Structures for Single Electron Device Applications by Anisotropic Etching
- 著者名
- T. Hiramoto, H. Ishikuro, K. Saito, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, and T. Ikoma
- 掲載誌名
- 誌名Japanese Journal of Applied Physics 巻35(号12B) 開始ページ6664 - 6667 (出版年（月日）1996年12月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Coulomb Blockade Oscillations at Room Temperature in a Si Quantum Wire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Fabricated by Anisotropic Etching on a Silicon-on-Insulator Substrate
- 著者名
- H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, T. Hiramoto, and T. Ikoma
- 掲載誌名
- 誌名Applied Physics Letters 巻68(号25) 開始ページ3585 - 3587 (出版年（月日）1996年06月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 無し
Extremely Large Amplitude Random Telegraph Signals in a Very Narrow Split-Gate MOSFET at Low Temperatures
- 著者名
- H. Ishikuro, T. Saraya, T. Hiramoto, and T. Ikoma
- 掲載誌名
- 誌名Japanese Journal of Applied Physics 巻35(号2B) 開始ページ858 - 860 (出版年（月日）1996年02月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り