論文
石黒 仁揮
121~140件（全143件）
Experimental Evidence for Quantum Mechanical Narrow Channel Effect in Ultra-Narrow MOSFETs
- 著者名
- H. Majima, H. Ishikuro, and T. Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名IEEE Electron Devices Letters 巻21(号8) 開始ページ396 - 398 (出版年（月日）2000年08月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Impact of the Device Scaling on the Low-Frequency Noise in n-MOSFETs
- 著者名
- H. M. Bu, Y. Shi, X. L. Yuan, Y. D. Zheng, S. H. Gu, H. Majima, H. Ishikuro, and T. Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Applied Physics A 巻A71(号2) 開始ページ133 - 136 (出版年（月日）2000年06月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Random telegraph signals and low-frequency noise in n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultranarrow channels
- 著者名
- H. M. Bu, Y. Shi, X. L. Yuan, J. Wu, S. L. Gu, and Y. D. Zheng, H. Majima, H. Ishikuro, and T. Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Applied Physics Letters 巻76(号22) 開始ページ3259 - 3261 (出版年（月日）2000年05月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Control of Coulomb blockade oscillations in silicon single electron transistor using silicon nano-crystal floating gates
- 著者名
- Nobuyoshi Takahashi, Hiroki Ishikuro, and Toshiro Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Applied Physics Letters 巻76(号2) 開始ページ209 - 211 (出版年（月日）2000年01月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Quantum Energy and Charging Energy in Point Contact MOSFETs acting as Single Electron Transistors
- 著者名
- Toshiro Hiramoto and Hiroki Ishikuro
- 掲載誌名
- 誌名Superlattices and Microstructures 巻24(号1-2) 開始ページ263 - 267 (出版年（月日）1999年）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Characteristic Distributions of Narrow Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Memories with Silicon Nanocrystal Floating Gates
- 著者名
- Eiji Nagata, Nobuyoshi Takahashi, Yuri Yasuda, Takashi Inukai, Hiroki Ishikuro, and Toshiro Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Japanese Journal of Applied Physics 巻38(号12B) 開始ページ7230 - 7232 (出版年（月日）1999年12月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Highly Integrated Single Electron Devices and Giga-bit Lithography
- 著者名
- Toshiro Hiramoto, H. Ishikuro, and H. Majima
- 掲載誌名
- 誌名Journal of Photopolymer Science and Technology 巻12(号3) 開始ページ417 - 422 (出版年（月日）1999年06月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Coulomb Blockade in VLSI-Compatible Multiple-Dot and Single-Dot MOSFETs
- 著者名
- Toshiro Hiramoto and Hiroki Ishikuro
- 掲載誌名
- 誌名International Journal of Electronics 巻86(号5) 開始ページ591 - 603 (出版年（月日）1999年05月）
- 共著区分
- 単著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Characteristics of Narrow Channel MOSFET Memory Based on Silicon Nanocrystals
- 著者名
- Yi Shi, Kenichi Saito, Hiroki Ishikuro, and Toshiro Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Japanese Journal of Applied Physics 巻38(号4B) 開始ページ2453 - 2456 (出版年（月日）1999年04月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Measurement of Energetic and Lateral Distribution of Interface State Density in FD SOI MOSFETs
- 著者名
- Tran Ngoc Duyet, Hiroki Ishikuro, Yi Shi, Takuya Saraya, Makoto Takamiya, and Toshiro Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Japanese Journal of Applied Physics 巻38(号4B) 開始ページ2496 - 2500 (出版年（月日）1999年04月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
On the origin of tunneling barriers in silicon single electron and single hole transistors
- 著者名
- H. Ishikuro and T. Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Applied Physics Letters 巻74(号8) 開始ページ1126 - 1128 (出版年（月日）1999年02月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Effects of Interface Traps on Charge Retention Characteristics in Silicon-Quantum-Dot-Based Metal-Oxide-Semiconductor Diodes
- 著者名
- Yi Shi, Kenichi Saito, Hiroki Ishikuro, and Toshiro Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Japanese Journal of Applied Physics 巻38(号1B) 開始ページ425 - 428 (出版年（月日）1999年01月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Fabrication of Nano-Scale Point Contact Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors Using Micrometer-Scale Design Rule
- 著者名
- Hiroki Ishikuro and Toshiro Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Japanese Journal of Applied Physics 巻38(号1B) 開始ページ396-398 (出版年（月日）1999年01月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Effects of traps on charge storage characteristics in metal-oxide-semiconductor memory structures based on silicon nanocrystals
- 著者名
- Y. Shi, K. Saito, H. Ishikuro, and T. Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Journal of Applied Physics 巻84(号4) 開始ページ2358-2360 (出版年（月日）1998年08月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Hopping Transport in Multiple-Dot Silicon Single Electron MOSFET, Solid State Electronics
- 著者名
- H. Ishikuro and T. Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Solid State Electronics 巻42(号7-8) 開始ページ1425 - 1428 (出版年（月日）1998年07月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Suppression of Geometric Component of Charge Pumping Current in Thin Film SOI MOSFET
- 著者名
- N. Duyet, H. Ishikuro, M. Takamiya, T. Saraya, and T. Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Japanese Journal of Applied Physics 巻37(号7B) 開始ページL855 - L858 (出版年（月日）1998年07月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Fabrication of Gate-All Around MOSFET by Silicon Anisotropic Etching Technique
- 著者名
- T. Mukaiyama, K. Saito, H. Ishikuro, M. Takamiya, T. Saraya, and T. Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Solid State Electronics 巻42(号7-8) 開始ページ1623 - 1626 (出版年（月日）1998年06月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Quantum mechanical effects in the silicon quantum dot in a single-electron-transistor
- 著者名
- Hiroki Ishikuro and Toshiro Hiramoto
- 掲載誌名
- 誌名Applied Physics Letters 巻71(号25) 開始ページ3691 - 3693 (出版年（月日）1997年12月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Room Temperature Coulomb Blockade and Low Temperature Hopping Transport in a Multiple-Dot-Channel MOSFET
- 著者名
- T. Hiramoto, H. Ishikuro, T. Fujii, G. Hashiguchi, and T. Ikoma
- 掲載誌名
- 誌名Japanese Journal of Applied Physics 巻36(号6B) 開始ページ4139 - 4142 (出版年（月日）1997年06月）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り
Characterization of Precisely Width-Controlled Si Quantum Wires Fabricated on SOI Substrates
- 著者名
- T. Hiramoto, H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, and T. Ikoma
- 掲載誌名
- 誌名Physics B 開始ページ95 - 97 (出版年（月日）1996年）
- 共著区分
- 共著
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 査読有無
- 有り