知的財産権等
多田 宗弘
101~120件（全137件）
プログラミング回路、半導体装置及びプログラミング方法
- 発行日
- 特許第6137180号
- 出願日
- 特願2014-522485 2013年05月
- 登録日
- 特許第6137180号 2017年05月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘
- 出願人
- 日本電気株式会社
再構成可能回路
- 出願日
- 特願2018-516872 2015年10月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 白 旭, 阪本 利司, 多田 宗弘, 辻 幸秀, 多田 あゆ香, 宮村 信, 根橋 竜介
- 公表日
- 特表2018-536327 2018年12月
- 出願人
- 日本電気株式会社
再構成可能回路
- 発行日
- 特許第6540889号
- 出願日
- 特願2018-516872 2015年10月
- 登録日
- 特許第6540889号 2019年06月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 白 旭, 阪本 利司, 多田 宗弘, 辻 幸秀, 多田 あゆ香, 宮村 信, 根橋 竜介
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置
- 発行日
- 特許第5699666号
- 出願日
- 特願2011-030929 2011年02月
- 登録日
- 特許第5699666号 2015年02月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 宮村 信, 多田 宗弘, 伴野 直樹
- 公開日
- 特開2012-169023 2012年09月
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置
- 発行日
- 特許第5790660号
- 出願日
- 特願2012-536451 2011年09月
- 登録日
- 特許第5790660号 2015年08月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 宮村 信, 波田 博光
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置
- 発行日
- 特許第5613272号
- 出願日
- 特願2013-026127 2013年02月
- 登録日
- 特許第5613272号 2014年09月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 大竹 浩人, 林 喜宏
- 公開日
- 特開2013-128140 2013年06月
- 出願人
- ルネサスエレクトロニクス株式会社
多孔質絶縁膜の形成方法
- 発行日
- 特許第5093479号
- 出願日
- 特願2007-546541 2006年11月
- 登録日
- 特許第5093479号 2012年09月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 古武 直也, 竹内 常雄, 林 喜宏
- 出願人
- 日本電気株式会社
多層配線の形成方法
- 発行日
- 特許第5349789号
- 出願日
- 特願2007-295838 2007年11月
- 登録日
- 特許第5349789号 2013年08月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 林 喜宏
- 公開日
- 特開2009-123886 2009年06月
- 出願人
- ルネサスエレクトロニクス株式会社
多層配線構造および多層配線の製造方法
- 発行日
- 特許第5263482号
- 出願日
- 特願2007-557851 2007年02月
- 登録日
- 特許第5263482号 2013年05月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 大竹 浩人, 田上 政由, 多田 宗弘, 林 喜宏
- 出願人
- 日本電気株式会社
銅配線層内への抵抗変化素子の製造方法
- 出願日
- 特願2017-071545 2017年03月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 岡本 浩一郎, 多田 宗弘, 伴野 直樹, 井口 憲幸
- 公開日
- 特開2018-174227 2018年11月
- 出願人
- 日本電気株式会社
電流制御素子およびその製造方法
- 出願日
- 特願2013-197417 2013年09月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 岡本 浩一郎, 多田 宗弘, 井口 憲幸
- 公開日
- 特開2015-065240 2015年04月
- 出願人
- 日本電気株式会社
非線形抵抗素子、スイッチング素子、および非線形抵抗素子の製造方法
- 出願日
- 特願2019-061663 2019年03月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 沼田 秀昭, 多田 宗弘, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎, 井口 憲幸
- 公開日
- 特開2020-161723 2020年10月
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗変化素子及び抵抗変化素子の製造方法
- 出願日
- 特願JP2011062996 2011年06月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 岡本 浩一郎, 阪本 利司, 波田 博光
- 公表日
- 特表WO2011-158691 2011年12月
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗記憶装置およびその製造方法
- 出願日
- 特願2011-082098 2011年04月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 加藤 有光, 宮村 信, 岡本 浩一郎, 伴野 直樹, 多田 宗弘, 伊藤 仁彦, 阪本 利司
- 公開日
- 特開2012-216725 2012年11月
- 出願人
- 日本電気株式会社
整流素子、スイッチング素子および整流素子の製造方法
- 出願日
- 特願JP2016002837 2016年06月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 伴野 直樹, 井口 憲幸
- 公表日
- 特表WO2016-203751 2016年12月
- 出願人
- 日本電気株式会社
有機シリコン系膜の形成方法、当該有機シリコン系膜を有する半導体装置及びその製造方法
- 発行日
- 特許第4900239号
- 出願日
- 特願2007-503657 2006年02月
- 登録日
- 特許第4900239号 2012年01月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 竹内 常雄, 林 喜宏
- 出願人
- 日本電気株式会社
記憶装置およびプログラミング方法
- 出願日
- 特願JP2020002069 2020年01月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 根橋 竜介, 阪本 利司
- 公表日
- 特表WO2020-158531 2020年08月
- 出願人
- ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社
抵抗変化素子およびその形成方法
- 出願日
- 特願2015-072246 2015年03月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 岡本 浩一郎, 伴野 直樹, 多田 宗弘
- 公開日
- 特開2016-192510 2016年11月
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗変化素子とそれを含む半導体装置及びこれらの製造方法
- 発行日
- 特許第5617915号
- 出願日
- 特願2012-505736 2011年03月
- 登録日
- 特許第5617915号 2014年09月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 岡本 浩一郎, 阪本 利司, 波田 博光
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗変化素子の書換え方法、および抵抗変化素子を用いた不揮発性記憶装置
- 出願日
- 特願JP2018039252 2018年10月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 阪本 利司, 伴野 直樹, 多田 宗弘, 辻 幸秀
- 公表日
- 特表WO2019-082860 2019年05月
- 出願人
- 日本電気株式会社