知的財産権等
多田 宗弘
41~60件（全137件）
半導体装置およびプログラミング方法
- 発行日
- 特許第6245171号
- 出願日
- 特願2014-521208 2013年02月
- 登録日
- 特許第6245171号 2017年11月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 宮村 信, 阪本 利司, 多田 宗弘
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
- 発行日
- 特許第5380838号
- 出願日
- 特願2007-522218 2006年05月
- 登録日
- 特許第5380838号 2013年10月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 天野 真理, 多田 宗弘, 古武 直也, 林 喜宏
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
- 発行日
- 特許第4940950号
- 出願日
- 特願2006-531772 2005年08月
- 登録日
- 特許第4940950号 2012年03月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 天野 真理, 多田 宗弘, 古武 直也, 林 喜宏
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
- 出願日
- 特願2011-134284 2011年06月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 波田 博光, 中林 正明
- 公開日
- 特開2013-004736 2013年01月
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置及びその動作方法
- 出願日
- 特願JP2011063756 2011年06月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 宮村 信, 波田 博光
- 公表日
- 特表WO2011-158887 2011年12月
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置及びその動作方法
- 発行日
- 特許第5783174号
- 出願日
- 特願2012-520484 2011年06月
- 登録日
- 特許第5783174号 2015年07月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 宮村 信, 波田 博光
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
- 出願日
- 特願JP2011060848 2011年05月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 阪本 利司, 波田 博光
- 公表日
- 特表WO2011-142386 2011年11月
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
- 発行日
- 特許第5012022号
- 出願日
- 特願2006-528605 2005年06月
- 登録日
- 特許第5012022号 2012年06月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 天野 真理, 多田 宗弘, 林 喜宏
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
- 発行日
- 特許第5360209号
- 出願日
- 特願2011-519871 2010年06月
- 登録日
- 特許第5360209号 2013年09月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 阪本 利司, 波田 博光
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
- 発行日
- 特許第5382001号
- 出願日
- 特願2010-545785 2010年01月
- 登録日
- 特許第5382001号 2013年10月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 阪本 利司, 波田 博光, 伴野 直樹
- 出願人
- 日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
- 発行日
- 特許第5413563号
- 出願日
- 特願2008-553131 2008年01月
- 登録日
- 特許第5413563号 2013年11月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 田上 政由, 林 喜宏, 多田 宗弘, 小野寺 貴弘, 古武 直也, 植木 誠, 天野 真理
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗変化素子、および抵抗変化素子の形成方法
- 出願日
- 特願2012-181723 2012年08月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 井口 憲幸, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎
- 公開日
- 特開2014-038984 2014年02月
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗変化素子、および抵抗変化素子の形成方法
- 発行日
- 特許第6102121号
- 出願日
- 特願2012-181723 2012年08月
- 登録日
- 特許第6102121号 2017年03月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 井口 憲幸, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎
- 公開日
- 特開2014-038984 2014年02月
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
- 出願日
- 特願JP2016002769 2016年06月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎
- 公表日
- 特表WO2016-199412 2016年12月
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
- 出願日
- 特願JP2017011792 2017年03月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘
- 公表日
- 特表WO2017-170149 2017年10月
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
- 発行日
- 特許第6798489号
- 出願日
- 特願2017-523112 2016年06月
- 登録日
- 特許第6798489号 2020年11月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
- 出願日
- 特願JP2013062399 2013年04月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 井口 憲幸, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎
- 公表日
- 特表WO2014-030393 2014年02月
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
- 発行日
- 特許第7165976号
- 出願日
- 特願JP2017011792 2017年03月
- 登録日
- 特許第7165976号 2022年10月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘
- 出願人
- ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社
抵抗変化素子、その抵抗変化素子を有する半導体装置、その半導体装置の製造方法およびその抵抗変化素子を用いたプログラミング方法
- 出願日
- 特願JP2013001698 2013年03月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 阪本 利司, 宮村 信
- 公表日
- 特表WO2013-136798 2013年09月
- 出願人
- 日本電気株式会社
抵抗変化素子、その抵抗変化素子を有する半導体装置、その半導体装置の製造方法およびその抵抗変化素子を用いたプログラミング方法
- 発行日
- 特許第6112106号
- 出願日
- 特願2014-504708 2013年03月
- 登録日
- 特許第6112106号 2017年03月
- 権利種別
- 特許権
- 発明者
- 多田 宗弘, 阪本 利司, 宮村 信
- 出願人
- 日本電気株式会社