研究発表
松本 智
1~14件（全14件）
「安定同位体３０Ｓｉを用いた外因性Ｓｉ中におけるＳｉ自己拡散」
- 講演者
- 中林 幸雄、Ｈｉｒｍａｎ、瀬川 徹、斎藤 数正、松本 智、室田 淳一、和田 一実、阿部 孝夫、
- 会議名
- [会議区分国内会議] 会議名応用物理学会 開催年月日2001.03 - 2001.03
- 発表形態
- 国内会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
「ＣＺ－Ｓｉ中におけるＰの過渡増速拡散、損失に及ぼす窒化膜偏析の影響」
- 講演者
- 斎藤 数正、藤原 尚樹、中林 幸雄、Ｈｉｒｍａｎ．豊永 一成、松本 智、佐藤 芳之
- 会議名
- [会議区分国内会議] 会議名応用物理学会 開催年月日2001.03 - 2001.03
- 発表形態
- 国内会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
「Ｓｉ（１００）上へのＢＰのエピタキシャル薄膜の選択成長」
- 講演者
- 花本 英俊、西村 鈴香、寺嶋 一高、松本智
- 会議名
- [会議区分国内会議] 会議名応用物理学会 開催年月日2001.03 - 2001.03
- 発表形態
- 国内会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
「ボロン再構成表面/ＳｉにおけるＧｅ量子ドットの形成」
- 講演者
- 永井 秀明、森 裕俊、柳川 知明、松本 智
- 会議名
- [会議区分国内会議] 会議名応用物理学会 開催年月日2001.03 - 2001.03
- 発表形態
- 国内会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
「ＧＳ－ＭＢＥの選択成長を用いたｃ－Ｓｉ/ＳｉＯ２低次元構造の作成」
- 講演者
- 瀬川 徹、松本 智
- 会議名
- [会議区分国内会議] 会議名電子情報通信学会 開催年月日2001.02 - 2001.02
- 発表形態
- 国内会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
“Epitaxial Growth of Pure ３０Ｓｉ Layers on a Natural Si(100) Substrate Using Enriched ３０ＳｉH4”,
- 講演者
- Y. Nakabayashi, T. Segawa, O. Hirman and S. Matsumoto, J. Murota, K. Wada and T. Abe
- 会議名
- [会議区分国際会議] 開催年月日2001.01 - 2001.01
- 発表形態
- 国際会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
“Self-Diffusion in Extrinsic Silicon Using Enriched 30Si”,
- 講演者
- Y. Nakabayashi, T. Segawa, O. Hirman and S. Matsumoto, J. Murota, K. Wada and T. Abe:
- 会議名
- [会議区分国際会議] 開催年月日2000.11 - 2000.11
- 発表形態
- 国際会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
“Future Silicon Substrates”
- 講演者
- S. Nishimura, K. Terashima and S. Matsumoto
- 会議名
- [会議区分国際会議] 開催年月日2000.11 - 2000.11
- 発表形態
- 国際会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
「濃縮３０ＳｉＨ４を用いたＧＳ－ＭＢＥによる３０Ｓｉの成長」
- 講演者
- 中林 幸雄、瀬川 徹、Ｈｉｒｍａｎ、斎藤 数正、松本 智
- 会議名
- [会議区分国内会議] 会議名応用物理学会 開催年月日2000.09 - 2000.09
- 発表形態
- 国内会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
「Ｓｉ 融液の粘性?Ｂ添加の影響」
- 講演者
- 西村 鈴香、寺嶋 一高、松本 智
- 会議名
- [会議区分国内会議] 会議名応用物理学会 開催年月日2000.09 - 2000.09
- 発表形態
- 国内会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
「Ｓｉ 基板へのｃ－ＧａＮエピタキシャル膜の成長」
- 講演者
- 西村 鈴香、寺嶋 一高、松本 智
- 会議名
- [会議区分国内会議] 会議名応用物理学会 開催年月日2000.09 - 2000.09
- 発表形態
- 国内会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
“Fabrication of boron delta-doped structures in Si by solid-phase epitaxy”,
- 講演者
- T. Ishikawa, H. Nagai, K. Ishii and S. Matsumoto,
- 会議名
- [会議区分国際会議] 開催年月日2000.09 - 2000.09
- 発表形態
- 国際会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
「濃縮３０ＳｉＨ４を用いたＧＳ－ＭＢＥによる３０Ｓｉの成長」
- 講演者
- 中林 幸雄、瀬川 徹、Ｈｉｒｍａｎ、斎藤 数正、松本 智
- 会議名
- [会議区分国内会議] 会議名応用物理学会 開催年月日2000.09 - 2000.09
- 発表形態
- 国内会議
“Initial Growth of Titanium Germanosilicide on Ge/Si(111)”, , 2000)
- 講演者
- T. Yanagawa, H. Nagai, H. Mori and S. Matsumoto
- 会議名
- [会議区分国際会議] 開催年月日2000.07 - 2000.07
- 発表形態
- 国際会議
- 会議種別
- 口頭発表（一般）