論文

ICP の維持機構を時間分解CT 計測から論じている。低圧(15mTorr) では、誘導電界による電子加速機構に加えて、壁シースに起因するEXB 加速が出現することを初めて明らかにしている。

O2-ICP の用途は広い。プラズマ診断の特集号に招待論文として掲載されたもので、3次元CT 計測からICP 励起機構とそのプラズマ構造を診断する手法をO2 を例に論じている。

10nm - 10micro m の半径を持った微粒子がガス流れのあるAr-CCP 中でどのように輸送されるかを拡張RCT モデルから論じている。CCP 内に微粒子が滞在せず、排出される条件を微粒子径とガスフローレートの関数として明らかにしている。

3元エミッションCT 装置を開発し、センサの絶対値校正法とラドン逆変換法を詳説し、Ar-ICP のCT 像を考察している。従来説と異なり、C 結合の効果が小さいことを論じている。

パルス駆動 RIE の 1つの系、パルスプラズマ源(13.56MHz) と短バイアスパルスを持ったRIE 装置の機能をRCT/Boltzmann 方程式モデルをもとにプラズマ構造の変化を論じている。SF6-RIE ではバイアスパルス印加時にビーム様の高エネルギー電子を基板に供給できるもののそのフラックスは小さいことなどを論じている。

半導体微細加工時に出現するチャージング現象を改善するためのパルスプラズマとその表面での機能を概説している。

O2-CCP ではこれまでに論じられたことのないプラズマ維持機構があることをRCT モデリングから明らかにしている。この系では、'ネットの電離レート < 付着レート の条件下'、バルクプラズマで負イオン+ 酸素原子衝突により放出される電子がプラズマを維持する特異な例である。

HF,VHF-CCP の二次元プラズマ構造、特に, 径方向特性をエミッションCT 計測像から研究し、プラズマ外部パラメータの影響を考察しVHF プラズマの優位点を考察している。

Physical and electrical influences on plasma etching on the inside of a microtrench in SiO2 were numerically investigated using Monte Carlo simulation of ions and electrons with the aid of surface charge continuity and Poisson's equation. When the aspect ratio is greater than seven, the bottom is charged up to a potential sufficient to prevent the influence of all the incident ions, with a realistic initial energy of 300 eV for SiO2 etching within the period required for monolayer stripping, resulting in etch stop. The cause of etch stop is purely the result of the electrical local charging due to the topography of the trench, and of the initial conditions for incident charged particles. The etch stop caused by a cw plasma will be disorganized or prevented within a short time by the aid of ion-ion plasma in an afterglow phase.

RF プラズマにおける駆動周波数を短波から超短波へ上昇させることによる生成効率の向上とプラズマ構造の変化を計算機シミュレーションにより明らかにしている。

SF6 ガスを原料とした狭ギャップリアクティブイオンエッチャーにおける中性ラジカル輸送を緩和連続モデルにより明らかにしている。