論文

量子ドット中の偶数電子系の示す近藤効果を、スケーリング法と平均場近似の両者を用いて解明した。平均場近似によって、近藤効果の増大機構が定性的に理解されることを示した。

磁場中の結合量子ドット系における近藤効果を理論的に研究した。この系特有の近藤共鳴状態が磁場中の電気伝導特性に反映されることを示した。

量子ドット・セル・オートマトン中のキンク・ソリトンのダイナミカルな性質を理論的に研究した。異なる種類のセルの接合系におけるソリトンの振る舞いを数値的に明らかにした。

半導体量子ドット中の少数電子状態を、電子間相互作用を厳密対角化の方法で取り入れて解明した。それに基づいて電気伝導特性を導出し、実験結果を説明した。クーロン閉塞領域での高次のトンネル効果、近藤効果、結合量子ドット系の性質を議論した。

結合量子ドット系における近藤効果を共鳴状態のスペクトル特性に焦点を当てて調べた。ドット間のトンネル結合、ゲート電圧に対して系統的な研究をおこなった。また、ドット間のスピン結合の効果を明らかにした。さらに、非対称性の効果を取り入れ、この系の近藤効果の振る舞いを解明した。

アハロノフ・ボーム（ＡＢ）リングに埋め込まれた量子ドットにおけるファノ共鳴の解析的表式を導出した。また位相緩和の効果を数値計算によって調べた。

量子ドット中の多数の核スピン間に、電子スピンの反転によってエンタングルメントが生成される理論を解説した。

シリコン量子ドット中の電子状態を理論的に明らかにした。伝導帯の多谷構造、および電子間相互作用を取り入れて、人工原子としての新しい性質を明らかにした。

磁性金属で作製される量子ポイントコンタクトにおいて、電子間相互作用を平均場近似で取り入れて輸送特性を計算した。複数バンドを考慮し、電気伝導度の磁化方向依存性を明らかにした。Niを用いた実験と一致する結果を得た。

半導体量子ドットにおけるポーラロン形成機構と、その輸送特性の影響を明らかにした。ポーラロン形成によって生じる新しい共鳴ピーク構造を指摘した。

量子ドット中の偶数電子系の示す近藤効果のスケーリング法を拡張した。複数のパラメーター空間での強結合固定点の性質を調べ、近藤効果の増大機構を定量的に説明した。

量子ドット中の偶数電子系の示す近藤効果について、一般化したモデルをスケーリング法を用いて調べた。この近藤効果は、多パラメーターのスケーリングで特徴づけられ、普通の近藤効果と異なることを明らかにした。

複数の伝導バンドを有する金属、特に磁性金属の原子サイズのポイント・コンタクトの輸送特性を理論的に調べた。バンド間散乱によって電気伝導度が抑制されること、それによって実験結果が説明される可能性を示した。