慶應義塾

研究発表

石黒 仁揮

61~77件(全77件)

Random Telegraph Signals in Very Narrow Channel MOSFET

講演者
Y. Shi, H. M. Bu, X. L. Yuan, Y. D. Zheng, H. Ishikuro, H. Majima, and T. Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1999.06 - 1999.06
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Threshold Voltage Shift in Ultra-Narrow MOSFETs by Quantum Mechanical Narrow Channel Effect

講演者
H. Majima, H. Ishikuro, and T. Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1999.06 - 1999.06
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Influence of Quantum Confinement Effects on Single Electron and Single Hole Transistors

講演者
Hiroki Ishikuro and Toshiro Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1998.12 - 1998.12
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Effects of Body Reverse Pulse Bias on Geometric Component of Charge Pumping Current in FD SOI MOSFETs

講演者
Tran Ngoc Duyet, Hiroki Ishikuro, Makoto Takamiya, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1998.10 - 1998.10
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Measurement of Energetic and Lateral Distribution of Interface State Density in FD SOI MOSFETs

講演者
Tran Ngoc Duyet, Hiroki Ishikuro, Yi Shi, Takuya Saraya, Makoto Takamiya, and Toshiro Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1998.09 - 1998.09
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Characteristics of Narrow Channel MOSFET Memory Based on Silicon Nanocrystals

講演者
Yi Shi, Kenichi Saito, Hiroki Ishikuro, and Toshiro Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1998.09 - 1998.09
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

The Origin of Tunnel Barrier in Silicon Single Electron Transistor", International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS)

講演者
Hiroki Ishikuro and Toshiro Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1998.08 - 1998.08
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
ポスター発表

Effects of Interface Traps on Charge Retention Characteristics in Silicon-Quantum-Dot-Based MOS Diodes

講演者
Y. Shi, K. Saito, H. Ishikuro, and T. Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1998.06 - 1998.06
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Fabrication of Nano-Scale Point Contact MOSFETs Using Micrometer-Scale Design Rule

講演者
H. Ishikuro and T. Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1998.06 - 1998.06
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Narrow Channel MOS Memory Based on Silicon Nano-Crystals

講演者
K. Saito, Y. Shi, H. Ishikuro, and T. Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1998.06 - 1998.06
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Energy Spectrum of the Quantum-Dot in a Si Single-Electron-Device

講演者
Hiroki Ishikuro and Toshiro Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1998.06 - 1998.06
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Fabrication of Si Point Contact MOSFETs Acting as Single Electron Transistors at Room Temperature

講演者
Hiroki Ishikuro and Toshiro Hiramoto
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1997.06 - 1997.06
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Room Temperature Coulomb Blockade and Low Temperature Hopping Transport in a Multiple-Dot-Channel MOSFET

講演者
T. Hiramoto, H. Ishikuro, T. Fujii, G. Hashiguchi, and T. Ikoma
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1996.11 - 1996.11
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Floating Body Effects in 0.15 μm Partially Depleted SOI MOSFETs below 1 V

講演者
T. Saraya, M. Takamiya, T. N. Duyet, T. Tanaka, H. Ishikuro, T. Hiramoto, and T. Ikoma
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1996.10 - 1996.10
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Fabrication of Si Nano-Structures by Anisotropic Etching for Single Electron Device Applications

講演者
T. Hiramoto, H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, and T. Ikoma
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1996.07 - 1996.07
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
口頭発表(一般)

Coulomb Blockade in a Weakly Coupled Multiple-Dot-Channel MOSFET

講演者
H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, T. Hiramoto, and T. Ikoma
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1996.07 - 1996.07
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
ポスター発表

Extremely Large Amplitude of Random Telegram Signals in a Very Narrow Split-Gate MOSFET at Low Temperatures

講演者
H. Ishikuro, T. Saraya, T. Hiramoto, and T. Ikoma
会議名
[会議区分国際会議] 開催年月日1995.08 - 1995.08
発表形態
国際会議
記述原語
英語
会議種別
ポスター発表