Keio University

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Munehiro TADA

101-120 items (total 137)

プログラミング回路、半導体装置及びプログラミング方法

Publication date
6137180
Application date
2014-522485 2013.05
Registration date
6137180 2017.05
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘
Applicant
日本電気株式会社

再構成可能回路

Application date
2018-516872 2015.10
Rights type
Patent
Inventor
白 旭, 阪本 利司, 多田 宗弘, 辻 幸秀, 多田 あゆ香, 宮村 信, 根橋 竜介
Publication date
2018-536327 2018.12
Applicant
日本電気株式会社

再構成可能回路

Publication date
6540889
Application date
2018-516872 2015.10
Registration date
6540889 2019.06
Rights type
Patent
Inventor
白 旭, 阪本 利司, 多田 宗弘, 辻 幸秀, 多田 あゆ香, 宮村 信, 根橋 竜介
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置

Publication date
5699666
Application date
2011-030929 2011.02
Registration date
5699666 2015.02
Rights type
Patent
Inventor
宮村 信, 多田 宗弘, 伴野 直樹
Release date
2012-169023 2012.09
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置

Publication date
5790660
Application date
2012-536451 2011.09
Registration date
5790660 2015.08
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 宮村 信, 波田 博光
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置

Publication date
5613272
Application date
2013-026127 2013.02
Registration date
5613272 2014.09
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 大竹 浩人, 林 喜宏
Release date
2013-128140 2013.06
Applicant
ルネサスエレクトロニクス株式会社

多孔質絶縁膜の形成方法

Publication date
5093479
Application date
2007-546541 2006.11
Registration date
5093479 2012.09
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 古武 直也, 竹内 常雄, 林 喜宏
Applicant
日本電気株式会社

多層配線の形成方法

Publication date
5349789
Application date
2007-295838 2007.11
Registration date
5349789 2013.08
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 林 喜宏
Release date
2009-123886 2009.06
Applicant
ルネサスエレクトロニクス株式会社

多層配線構造および多層配線の製造方法

Publication date
5263482
Application date
2007-557851 2007.02
Registration date
5263482 2013.05
Rights type
Patent
Inventor
大竹 浩人, 田上 政由, 多田 宗弘, 林 喜宏
Applicant
日本電気株式会社

銅配線層内への抵抗変化素子の製造方法

Application date
2017-071545 2017.03
Rights type
Patent
Inventor
岡本 浩一郎, 多田 宗弘, 伴野 直樹, 井口 憲幸
Release date
2018-174227 2018.11
Applicant
日本電気株式会社

電流制御素子およびその製造方法

Application date
2013-197417 2013.09
Rights type
Patent
Inventor
岡本 浩一郎, 多田 宗弘, 井口 憲幸
Release date
2015-065240 2015.04
Applicant
日本電気株式会社

非線形抵抗素子、スイッチング素子、および非線形抵抗素子の製造方法

Application date
2019-061663 2019.03
Rights type
Patent
Inventor
沼田 秀昭, 多田 宗弘, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎, 井口 憲幸
Release date
2020-161723 2020.10
Applicant
日本電気株式会社

抵抗変化素子及び抵抗変化素子の製造方法

Application date
JP2011062996 2011.06
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 岡本 浩一郎, 阪本 利司, 波田 博光
Publication date
WO2011-158691 2011.12
Applicant
日本電気株式会社

抵抗記憶装置およびその製造方法

Application date
2011-082098 2011.04
Rights type
Patent
Inventor
加藤 有光, 宮村 信, 岡本 浩一郎, 伴野 直樹, 多田 宗弘, 伊藤 仁彦, 阪本 利司
Release date
2012-216725 2012.11
Applicant
日本電気株式会社

整流素子、スイッチング素子および整流素子の製造方法

Application date
JP2016002837 2016.06
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 伴野 直樹, 井口 憲幸
Publication date
WO2016-203751 2016.12
Applicant
日本電気株式会社

有機シリコン系膜の形成方法、当該有機シリコン系膜を有する半導体装置及びその製造方法

Publication date
4900239
Application date
2007-503657 2006.02
Registration date
4900239 2012.01
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 竹内 常雄, 林 喜宏
Applicant
日本電気株式会社

記憶装置およびプログラミング方法

Application date
JP2020002069 2020.01
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 根橋 竜介, 阪本 利司
Publication date
WO2020-158531 2020.08
Applicant
ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社

抵抗変化素子およびその形成方法

Application date
2015-072246 2015.03
Rights type
Patent
Inventor
岡本 浩一郎, 伴野 直樹, 多田 宗弘
Release date
2016-192510 2016.11
Applicant
日本電気株式会社

抵抗変化素子とそれを含む半導体装置及びこれらの製造方法

Publication date
5617915
Application date
2012-505736 2011.03
Registration date
5617915 2014.09
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 岡本 浩一郎, 阪本 利司, 波田 博光
Applicant
日本電気株式会社

抵抗変化素子の書換え方法、および抵抗変化素子を用いた不揮発性記憶装置

Application date
JP2018039252 2018.10
Rights type
Patent
Inventor
阪本 利司, 伴野 直樹, 多田 宗弘, 辻 幸秀
Publication date
WO2019-082860 2019.05
Applicant
日本電気株式会社