Keio University

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Munehiro TADA

41-60 items (total 137)

半導体装置およびプログラミング方法

Publication date
6245171
Application date
2014-521208 2013.02
Registration date
6245171 2017.11
Rights type
Patent
Inventor
宮村 信, 阪本 利司, 多田 宗弘
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置の製造方法

Publication date
5380838
Application date
2007-522218 2006.05
Registration date
5380838 2013.10
Rights type
Patent
Inventor
天野 真理, 多田 宗弘, 古武 直也, 林 喜宏
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置の製造方法

Publication date
4940950
Application date
2006-531772 2005.08
Registration date
4940950 2012.03
Rights type
Patent
Inventor
天野 真理, 多田 宗弘, 古武 直也, 林 喜宏
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置の製造方法

Application date
2011-134284 2011.06
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 波田 博光, 中林 正明
Release date
2013-004736 2013.01
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置及びその動作方法

Application date
JP2011063756 2011.06
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 宮村 信, 波田 博光
Publication date
WO2011-158887 2011.12
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置及びその動作方法

Publication date
5783174
Application date
2012-520484 2011.06
Registration date
5783174 2015.07
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 宮村 信, 波田 博光
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置及びその製造方法

Application date
JP2011060848 2011.05
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 阪本 利司, 波田 博光
Publication date
WO2011-142386 2011.11
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置及びその製造方法

Publication date
5012022
Application date
2006-528605 2005.06
Registration date
5012022 2012.06
Rights type
Patent
Inventor
天野 真理, 多田 宗弘, 林 喜宏
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置及びその製造方法

Publication date
5360209
Application date
2011-519871 2010.06
Registration date
5360209 2013.09
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 阪本 利司, 波田 博光
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置及びその製造方法

Publication date
5382001
Application date
2010-545785 2010.01
Registration date
5382001 2013.10
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 阪本 利司, 波田 博光, 伴野 直樹
Applicant
日本電気株式会社

半導体装置及びその製造方法

Publication date
5413563
Application date
2008-553131 2008.01
Registration date
5413563 2013.11
Rights type
Patent
Inventor
田上 政由, 林 喜宏, 多田 宗弘, 小野寺 貴弘, 古武 直也, 植木 誠, 天野 真理
Applicant
日本電気株式会社

抵抗変化素子、および抵抗変化素子の形成方法

Application date
2012-181723 2012.08
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 井口 憲幸, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎
Release date
2014-038984 2014.02
Applicant
日本電気株式会社

抵抗変化素子、および抵抗変化素子の形成方法

Publication date
6102121
Application date
2012-181723 2012.08
Registration date
6102121 2017.03
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 井口 憲幸, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎
Release date
2014-038984 2014.02
Applicant
日本電気株式会社

抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法

Application date
JP2016002769 2016.06
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎
Publication date
WO2016-199412 2016.12
Applicant
日本電気株式会社

抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法

Application date
JP2017011792 2017.03
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘
Publication date
WO2017-170149 2017.10
Applicant
日本電気株式会社

抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法

Publication date
6798489
Application date
2017-523112 2016.06
Registration date
6798489 2020.11
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎
Applicant
日本電気株式会社

抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法

Application date
JP2013062399 2013.04
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 井口 憲幸, 伴野 直樹, 岡本 浩一郎
Publication date
WO2014-030393 2014.02
Applicant
日本電気株式会社

抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法

Publication date
7165976
Application date
JP2017011792 2017.03
Registration date
7165976 2022.10
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘
Applicant
ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社

抵抗変化素子、その抵抗変化素子を有する半導体装置、その半導体装置の製造方法およびその抵抗変化素子を用いたプログラミング方法

Application date
JP2013001698 2013.03
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 阪本 利司, 宮村 信
Publication date
WO2013-136798 2013.09
Applicant
日本電気株式会社

抵抗変化素子、その抵抗変化素子を有する半導体装置、その半導体装置の製造方法およびその抵抗変化素子を用いたプログラミング方法

Publication date
6112106
Application date
2014-504708 2013.03
Registration date
6112106 2017.03
Rights type
Patent
Inventor
多田 宗弘, 阪本 利司, 宮村 信
Applicant
日本電気株式会社