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Cr１―ｘ―ｙ Mnｘ Feｙ Ge系の直流および交流磁気測定からこの系がリエントラントスピングラス相をもつことを示した。FeによるGrの置換が磁気的秩序を破壊することを示している。

マヤシマメ幼根の伸長域における細胞の膨圧を圧力プローブ法によって直接測定し，生長との関係をしらべた。細胞において膨圧調整が行われていること，浸透圧ストレス後の膨圧回復以前に生長の回復が見られることを示した。

モヤシマメ胚芽由来のプロトプラストの膜電位を蛍光色素dis-C３-(5)を用いて測定した。プラトプラスト内部は負電位であること，膜電位への呼吸阻害剤およびCa２＋の効果を併せて明らかにした。

高KCl 濃度下のモヤシマメ幼根において，細胞膜のＫ＋ 透過性に対する外液Ca２＋濃度の効果をしらべた。Ca２＋は皮層細胞から外液へ流出するＫを減少させることを見出した。

モヤシマメ幼根における浸透調整の機構を研究した。根内部の主な溶質はＫ＋ とCl― およびアミノ酸と糖でありこれらの寄与は全浸透圧の80％となる。アミノ酸と糖は子葉に由来することを示した。

熱処理によってシリコン内部に発生する積層欠陥の成長に及ぼす表面酸化の影響を調べた。バルク型積層欠陥は酸化折出に伴って発生する格子間Siを吸収して成長するが，表面酸化によって発生する過剰格子間シリコンの拡散の影響をうける。

ガラス微小電極を用いたマメ科植物根の重力に対する膜電位応答に関する解説。重力に対する膜電位の変化は重力屈性からの推測に比べ非常に速いことを指摘。

高浸透圧ストレス環境下のモヤシマメ幼根で生じる浸透調整について研究した。根の成熟域における内部浸透圧の1/2 はＫ＋ とCl― の濃度増加によることを見出した。

CrGe１―ｘ Siｘ（０≦ｘ≦0.15) の磁気的特性を帯磁率と電気抵抗率の温度依存性から研究した。その結果この合金が強磁性に近い金属でありSi濃度の増加とともに電子相関が弱くなることを示した。

エピタキシャル成長でつくられたn-InP の縦磁気フォノン共鳴が30T までのパルス磁場で測定された。10〜40K の低温では強磁場側にhot electronに関連する新しい共鳴ピークがみられた。

シェブレル化合物合金Pbｘ La１―ｘ Mo６ Se８ の超伝導相における上部臨界磁場が35T まで測定された。上部臨界磁場の温度依存性は理論から得られるものとよく一致する。

GaAa-GaP合金系における正孔移動度を半経験的に計算した。合金化散乱と価電子帯間相互作用の効果をしらべ，後者はリン含量と温度の上昇に伴って大きな影響を与えることを示した。

高等植物の細胞内pHを非破壊で生きたまま測定するために灌流系を用いた３１Ｐ―ＮＭＲで測定した。この方法で細胞質と液胞のpHを同時に測定することが可能であることを示した。

エピタキシャル成長n-InP の縦磁気フォノン共鳴を30T までのパルス磁場で測定した。40K 以下の低温では強磁場領域にhot electronに関連する新しい共鳴ピークを得た。

豆幼根を用いて外液中のＫ＋ ，Ｈ＋ ，およびCa２＋濃度が細胞内Ｋ＋ 濃度とＫ＋―ＡＴＰase活性に及ぼす影響をしらべた。高濃度の外液Ｋ＋Ｈ＋ は細胞内Ｋ＋ 濃度を減少させるが，Ca２＋はこの効果を抑制する。これをCa２＋がＫ＋ の細胞内への取込を活性化することと結びつけた。

モヤシ豆幼根先端細胞内pHの外液pHによる変化３１Ｐ―ＮＭＲを用いてしらべた。細胞質および液胞におけるリン化合物と無機リン酸が検出され，化学シフトから細胞内pHを得た。中性に近い広い範囲の外液pHで，細胞内pHは安定に調整され，これをＨ＋―ATPaseによるＨ＋ の能動輸送のためであるとした。

p-n 接合による光容量法を用いてシリコン中のバナジウム不純物準位の性質をしらべた。当該不純物中心の光イオン化断面積スペクトルを光-熱複合イオン化過程と電子-格子相互作用による格子緩和により説明した。

高純度エピタキシャルｎ型 InPの横磁気フォノン共鳴を 40Tまでのパルス磁場中で測定した。磁気フォノン共鳴に関与するバンドの有効質量とその温度依存性が得られた。

ｐ型Teの横磁気フォノン共鳴を35T までのパルス磁場中で測定した。67K 以上の温度で約22Tに新しい磁気フォノン共鳴を見出した。これはEh光学フォノンモードによるものと同定した。

細胞生長に依存した豆幼根の軸に沿った電位分布を８６ Rb トレーサー実験とpHの影響から得られたＫ＋ およびＨ＋ 輸送と関連づけて論じた。伸長域ではＫ＋ の能動的取込みとＨ＋ の放出が行われている。