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室温で大きな抵抗温度係数（TCR）を得るためにペロブスカイト型Mn酸化物（(Bi,La)1-xSrxMnO3）バルク試料を作製し、表面形状、結晶性、電気的特性に対するBi置換の効果を調べた。抵抗温度係数は半導体的な熱活性化型であり、室温で3.6％/KのTCRを示した．

シリコン中のクロム不純物に関連する深い不純物準位と縮退比をホール係数の温度依存性をカーブフィッティングして求めた。熱処理によりクロム関連不純物中心が変化する可能性がある。

Si中のバナジウム不純物中心における正孔放出および捕獲過程の特性をそれらの温度依存性，ボロン濃度依存性より明らかにした。

バナジウム（Ⅴ）を含むSi p-n接合を用い，暗容量過渡応答法およびパルスバイアス法により，不純物中心における多数キャリアの熱的放出率と捕獲断面積を求めた。３つの深い準位について測定しその性質について論じた。このうち価電子帯に近いドナー準位への正孔の捕獲面積は温度に大きく依存し，これを非放射多フォノン放出過程として説明した。

ホール係数測定値に最小二乗法の原理を用いた曲線のあてはめを行いn-Si中のMg不純物準位と縮退比を決定した。MgはSi中で２つの異った格子位置にあることを論じた。

ホール係数測定値に二重ドナーを含めた曲線をあてはめてSi中のSe不純物準位と縮退比を求めた。Si中のSeドナーの性格を論じた。

リンを含むn-Siのホール係数ファクターの温度依存性を得るためにホーム係数と移動度の実験結果を計算と比較した。イオン化不純物散乱を含めたモデルを用いて，ホールファクターの温度依存性，不純物濃度依存性，不純物補償の効果を明らかにした。

ｎ型Si中のバナジウム不純物に対し，ホール係数測定値より曲線のあてはめ法を用いて不純物準位と縮退比を求めた。深いドナーとアクセプタ準位のあることを見出した。

鉄ドープｎ型Si中の深い準位をＤＬＴＳ方を用いて研究した。３種の深い準位が観測され室温においてさえそれらの濃度は変化した。実験結果からこれらの深い準位の起源を論じた。

弱い直流磁場の下でCr０.６７Mn０.３３Geの交流磁化率を測定した。低温でスピン凍結が観測され，その磁気的異方性は他のスピングラス系より温度とともに大きく変化する。スピンクラスタリングによる異方性がCr０.６７Mn０.３３Geのスピングラス凍結に重要な役割を果たすことを示した。

電子照射誘起欠陥と白金の相互作用を調べた。白金の存在は電子照射欠陥を増加させる。白金のつくる欠陥準位の特性を論ずるとともに，電子照射と熱処理を組み合せて微量の白金を電気的に活性にし，検出する方法を提案した。

非晶質Crｘ Ge１―ｘ の電気抵抗と磁化率を非晶質構造と関連させて研究した。Cr原子が非常に小さな局在磁気モーメントをもつことを見出し，これを局所環境効果を考慮した仮想束ばく状態の考え方を用いて論じた。

３９Ｋ―ＮＭＲ法を用いてモヤシマメ幼根細胞内Ｋ＋ 濃度とその変化を定量的に研究した。得られたＫ＋ 濃度は，炎光光度法による細胞内Ｋ＋濃度と一致した。細胞内Ｋ＋ 濃度とＫ＋ 輸送を研究するために３９Ｋ-ＮＭＲ法を用いることができることを示した

MnおよびCo添加FeSiとFe２ Si５ からなる共晶合金焼結体から半導体相FeSi２ となる反応を電気抵抗，熱電能およびＸ線解析から調べた。ｐ型およびｎ型FeSi２ からＶ字型熱発電素子を構成し，最適熱処理条件を得た。

３１P-NMR を用いてモヤシマメ幼根細胞内におけるＡＴＰ結合性Mgと自由なMgイオン濃度をしらべた。細胞内ＡＴＰのうち90％がMg２＋と結合していることがわかった。阻害剤による細胞機能の抑制に対するMg２＋の影響について論じた。

非晶質Cr１―ｘ Mnｘ Ge合金系の直流磁化率と交流磁化率を調べた。結晶質のCr１―ｘ Mnｘ Ge系がリエントラントスピングラスであるにもかかわらず，この系が常磁性相からスピングラス相へ一回の相転移を生じる。この系はスピングラス相互作用の起源とスピングラス特性について議論した。

モヤシマメ幼根から単離したプロトプラストの表面電荷密度を９― アミノアクリジンを用いる方法で調べた。プロトプラスト表面は負の電荷をもつ。実験結果から負電荷と同程度のアミノ基がプロトプラスト表面に存在すると推定した。

Cr１―ｘ Mnｘ Ge系の合金が強磁性相，常磁性相，スピングラス相から成ることを示した。この磁気的性質は変形ＲＫＫＹ相互作用と Mn-Mn相互作用の競合の結果であると結論した。

シリコンにおける電子照射欠陥と白金不純物の相互作用をしらべた。白金の存在は電子照射欠陥の発生を著しく増加させ，またその消滅温度を低下させた。この機構について議論した。