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ピコ秒KrFレーザとF2レーザの２波長励起４波混合過程において，ピコ秒真空紫外パルスが切り出されることを理論モデルから明らかにした。

F2レーザを用い，アブレーションプロセスにおいてテフロン薄膜形成とCdTe半導体微粒子形成の２つの過程を同時に行うことで，nmサイズのCdTeを分散させたテフロン材料を作製し，３次光非線形性を確認した。

Xe中での２光子共鳴遷移による相互位相変調を用い，F２レーザパルスに周波数チャーピングを誘起し，パルス圧縮することでサブピコ秒パルスが発生可能であることを理論モデル解析から明らかにした。

熱に比較的弱い有機材料においても，レーザアブレーションによって再構築膜が形成できることを，そのメカニズムを議論しながら実験例を広く紹介しながら解説した。

KrFレーザアブレーション堆積法によって作製した，CuPc, Alq3, DANSなどの有機分子薄膜の化学結合，結晶性，電気的性質，等について測定し，ほぼ母材と同等の特性が維持されていることを示した。

水素の回転ラマン変換に偏光スイッチングを用いた２波長励起方式を適用し，KrFレーザの偏光をスイッチングすることで真空紫外の反ストークス光がサブナノ秒のパルス幅で得られることを理論モデルから明らかにした。

共振器寿命の短いマイクロチップレーザが外部戻り光に対して非常に高い応答性能を示すことに着目し，ドップラーシフトをレーザ共振器自体を検出器として用いることで測定できることを実験から明らかにした。

斜入射回折格子と分割した２個の１次回折光反射鏡を用いることによって，大口径のTi:サファイアレーザの励起媒質からそれぞれ異なる波長で発振させることに成功した。また，２波長の同時２倍高調波発生を行った。

F2レーザとKrFレーザを励起に用いたH2ガス中での４波混合過程において，位相整合角の設定によってラマン次数を選択した反ストークス変換が高効率で起りうることを理論モデルから実証した。

強度自己相関関数とスペクトル形状から，繰り返し最適化法を用いて時間位相特性および振幅特性が再構築できることを実験から明らかにした。同様の計測をファイバー伝送後のパルスに適用し周波数チャーピングを定量的に計測した。

F2レーザを用いたアブレーションによってテフロン高分子の薄膜形成が可能であることをはじめて実証した。高分子構造を維持した薄膜が形成されており，また薄膜形成時のわずかな加熱効果が膜の表面形態に大きく影響することを報告した。

F2レーザを用いたアブレーションによってテフロン高分子の薄膜形成が可能であることをはじめて実証した。

Krガスの自由噴流放電の下流でH2ガスを動的に混合することによってプラズマ中の電子温度を冷却し，再結合反応を加速した結果，Kr2二分子エキシマの生成を飛躍的に増加させることに成功した。

励起寿命の短いTi:サファイアレーザの励起に適した短パルスフラッシュランプ光源を製作し，斜入射回折格子共振器をそなえたTi:サファイアレーザ共振器を開発し，その出力特性を報告した。

ラマンシフトさせたF2レーザを用いて，はじめてF2レーザ媒質の吸収係数を測定した。また，飽和増幅特性から飽和強度および利得／吸収係数比を見積り，F2レーザのエネルギー取り出し特性を論じた。

水素の回転ラマン変換過程において，２波長励起と偏光スイッチングを併用することでサブナノ秒の真空紫外パルスが発生できることを理論モデルから明らかにした。

KrFレーザとF2レーザの２波長によるラマン４光波混合により，F2レーザの励起強度が低くても高い効率で真空紫外域の反ストークス光が発生できることを理論モデルから証明した。