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パルスモード光共鳴移乗のHFレーザ用の計算機モデルを作り，その出力特性，効率を計算し実験への指針を与えた。

数値モデルを用いて，電子ビーム励起KrFレーザの出力特性を解析し，KrFの生成・失活過程，レーザ取り出し過程を詳細に調べ，励起密度，励起パルス幅，ガス組成の点から効率の最適化を行った。

電子ビーム励起KrFレーザ及びHF化学レーザの実験結果を報告した。

大強度電子ビーム発生装置の設計，製作を含んだ総合的H2/F2化学レーザの開発について報告した。実験的に180J/パルス，電気効率200%を達成した。

横方向電子ビーム励起KrFレーザ装置に用いられているパルス磁界の効果を，電子ビーム伝播効率，レーザの励起密度の観点から報告した。

電子ビーム励起KrFレーザの出力特性の励起密度依存性を計算機シミュレーションにより明らかにした。

同軸型マルクス高電圧発生器に使用したBaTiO3セラミックキャパシターの容量値の電圧依存性を考慮して，その出力を解析し，SrTiO3セラミックキャパシターとの比較を行った。

N2レーザ特性に及ぼすSF6ガスの効果を電子ビーム励起下で調べることで，放電励起N2レーザにおけるSF6ガスの放電プラズマへの影響を取り除いた形で，その効果を議論した。

大型電子ビーム点火HFレーザー装置の開発にあたって，電子ビーム収束用磁界コイルの設計と，その動作性能を報告した。

多重反射ビーム整形器を用いてLD-barによる端面励起によるレーザ発振特性を調べ，特に熱誘起屈折率分布の影響によってビームモードが歪む様子を調べた。

液晶空間光変調器アレイを用いて，位相のみの周波数域変調によって任意のパルス波形を整形できることを実験から確かめた。

レーザアブレーションによるCuPc有機薄膜作製過程において，HeNeレーザ励起，基板加熱，DC電界印加によって結晶性が向上することを確認し，結晶の配向性から検討した。

フラッシュランプ励起Ti:サファイアレーザの共振器にポッケルセルでスイッチする斜入射回折格子副共振器を設け，自己注入同期によって狭線幅のQスイッチ動作が可能となったことを報告した。

レーザアブレーションによるCuPc薄膜の形成において，HeNeレーザ照射，基板加熱によって薄膜の結晶性が改善されることを報告した。また，この薄膜によってCuPc/Alq3の電界発光素子が蒸着膜と同等の性能で発光することを述べた。

F2レーザを用い，アブレーションプロセスにおいてテフロン薄膜形成とCdTe半導体微粒子形成の２つの過程を同時に行うことで，nmサイズのCdTeを分散させたテフロン材料を作製し，３次光非線形性を確認した。

KrFレーザアブレーション堆積法によって作製した，CuPc, Alq3, DANSなどの有機分子薄膜の化学結合，結晶性，電気的性質，等について測定し，ほぼ母材と同等の特性が維持されていることを示した。

F2レーザで励起したNd:LaF3結晶のASE出力を測定し，真空紫外域における発光は利得がないことを実証した。また，比較的長い寿命の可視域の吸収が観測されたことから，母材の色中心吸収の可能性を示唆した。

周波数域でのフィルタリングによってフェムト秒パルスの波形整形が可能であることを実験より示し，また，任意の波形を整形するための位相マスクの設計について報告した。

SBS位相共役鏡を共振器に用いることによって，フラッシュランプ励起Ti:サファイアレーザのQスイッチ動作を行った。斜入射回折格子を副共振器に挿入することで，広帯域のレーザでもSBSが早く立ち上がることを実証した。

レーザアブレーションによるPTFE, CuPc, DANSの有機薄膜形成について，実験結果を報告した。