Preferred joint research theme

世界の主要産業の一つである半導体は、近年の人工知能（AI）技術の進展に伴い、今後ますます需要が拡大すると期待されている。一方で、電荷を帯びた粒子（帯電粒子）が半導体素子に付着すると、静電気によってホコリを引き寄せるだけでなく、放電による基板の損傷やデバイスの誤作動を引き起こす要因となることが報告されている。このため、半導体製造ラインでは帯電粒子の発生や付着を抑制した環境の構築が求められている。その実現には、実際の製造環境や周辺環境において、帯電粒子がどの程度存在し、どのような条件で発生・変動するのかを定量的に把握することが重要である。 　近年、当研究室では、粒子の帯電状態（正・負帯電粒子の数濃度）を高時間分解能で連続計測できる技術を開発した。本技術を用いることで、半導体製造環境における帯電粒子の実態把握や発生・付着要因の解明、さらには静電気対策の効果検証への応用が期待される。

半導体製造では、帯電粒子の付着による歩留まり低下や静電気放電（ESD）に起因するデバイス損傷が大きな課題となっています。しかし、実際の製造環境において「どの程度の帯電粒子が存在し、どのような条件で発生・付着するのか」を定量的に評価する手法は限られています。 当研究室では、実環境中の粒子について、正・負それぞれの帯電粒子数濃度を高時間分解能で連続計測できる独自の計測技術を開発しました。本技術を用いることで、製造装置周辺における帯電粒子の変動要因を環境中の温度や湿度を踏まえて評価できます。 半導体製造環境における帯電粒子の実態把握、付着要因の解明などを目的とした共同研究を歓迎します。