Presentations

EuSn2P2の合成方法と、非ドープでの格子定数の変化を報告する。同じ仕込組成であっても得られた試料の格子定数は相異なるため、EuSn2P2は不定比性の化合物であると結論する。

複合アニオン層状化合物LnTMPnO (Ln : ランタノ イド. TM : Fe, Ni. Pn : P, As) は低温下で超伝導を示す。 このうち、TM = Ni, Pn = Pの試料を固相反応による合成し、磁気的性質を調べた。得られた試料は4.2 Kにおいて超伝導相を 示さなかった。これは、過去にMcQueenら(2009)によるLaNiPOの超伝導転移温度(Tc)の不定比性依存性と矛盾しない。

Several mixed anion layered compounds (MALCs) exhibit relatively high figure of merit (ZT).[1,2] Experimental and theoretical researches expect a promising functionality for the MALCs as thermoelectric materials, [3,4] however detailed carrier-doping mechanism and relations between crystallographic defect and resistivity are still controversial for representative mixed anion layered compounds, polycrystalline LaCu(S, Se)O bulk.[5,6,7,8] In the symposia, we demonstrate thermoelectric properties of polycrystalline LaCu(S, Se)O with a little deficient in Cu site. [1] L. D. Zhao et al., Appl. Phys. Lett. 97, 092118_1-3 (2010). Bi1−xSrxCuSeO oxyselenides as promising thermoelectric materials [2] Y. Liu et al., J. Am. Chem. Soc. 133, 20112-20115 (2011). Remarkable enhancement in thermoelectric performance of BiCuSeO by Cu deficiencies [3] For a review, W. Tang et al., Materials Today Physics 35, 101104_1-22 (2023). BiCuSeO based thermoelectric materials: Innovations and challenges [4] For a review, A. R. Natarajan et al., Phys. Rev. Mater. 7, 025405 (2023). High thermoelectric performance of layered LaAgXO (X = Se, Te) from electrical and thermal transport calculations [5] H. Hiramatsu et al., J. Am. Chem. Soc. 132, 15060-15067 (2010). Origins of hole doping and relevant optoelectronic properties of wide gap p-type semiconductor, LaCuOSe [6] Y. Goto et al., Appl. Phys. Lett. 105, 022104-022107 (2014). Effects of the Cu off-stoichiometry on transport properties of wide gap ptype semiconductor, layered oxysulfide LaCuSO [7] T. Kato et al., Mater. Sci. Tech. Jpn. 55, 67-71 (2018). Anisotropic thermoelectric exchange properties of high density polycrystalline layered oxychalcogenide, LaCuSeO obtained by uniaxial hot pressing (in Japanese) [8] N. Azuma et al., Mater. Sci. Tech. Jpn. 58, 64-68 (2021). In-gap-states of a mixed anion layered compound, polycrystalline LaCu1-deltaS0.5Se0.5O (delta~ 0.01) as a degenerate semiconductor (in Japanese)

酸素発生反応(OER)電気化学触媒としての、Co-doped YBa2Cu3O7-δの性能について報告する。

銅酸化物高温超伝導体に対して、水素雰囲気下で熱処理をほどこした際の、超伝導転移温度の変化について報告する。

複合アニオン層状化合物の一種である鉄系高温超伝導体と類似の構造をもつニッケル複合アニオン層状化合物を、新たな合成経路で得た。

複合アニオン層状化合物の一種である鉄系高温超伝導体と類似の構造をもつニッケル複合アニオン層状化合物を、新たな合成経路で得た。

層状オキシセレン化合物 BiCuSeO は、導電層と絶縁層が交互に積層された構造を持つため、低い熱伝導率を示し、中間温度域での p 型熱電材料として期待されている。本研究では、ほぼ単相の多結晶 BiCuSeO の熱電特性を評価する。

新規な複合アニオン層状化合物 透明半導体Sr2CuZnSO3-deltaの合成を報告する。

複合アニオン層状化合物の一種である鉄系高温超伝導体と類似の構造をもつニッケル複合アニオン層状化合物を、新たな合成経路で得た。

剥離性を有する銅酸化物高温超伝導体Bi2Sr2CaCu2O8+x (Bi-2212)の表面エネルギーをスラブ構造を仮定して評価する.

複合アニオン層状化合物の一種である超伝導を示すLaNiPO1−deltaを合成と電子状態計算を用いて研究する。酸素欠損量とTcとの相関を密度汎関数理論に基づく電子状態計算シミュレーションの結果と比較し、検討する。

金属有機化合物分解法によりSrTiO3基板上に作製されたGdをYサイトに部分置換されたYBCO ((Y, Gd)BCO) 薄膜を100℃から300℃で水素雰囲気下で熱処理を行った。また、この熱処理中に、水素負イオンのバイアスによる注入の有無による結晶相の変化を調べた。210℃で水素負イオンのバイアスによる注入を施した試料のみが、頂点酸素に水素負イオン(ヒドリド)が置換されると仮定した密度汎関数理論による電子状態計算結果と矛盾しない格子定数の減少を示す。