Presentations

青色GaN半導体レーザーPr:YLFレーザーの波長630, 522nmにおけるQスイッチング動作と共振器内sHG特性について発表した。

フェムト秒レーザー励起局在プラズモン場の時空間特性を決定論的に制御するために，プラズモン応答関数を相関型暗視野顕微計測手法によって求めた。

フェムト秒励起局在プラズモン場を決定論的に時空間制御するために，応答関数を計測した。手法は，周波数干渉走査型近接場顕微鏡であり，振幅・位相応答関数が計測でき，波形整形を用いてプラズモン場を整形することに成功した。

励起800nmフェムト秒レーザーと極端紫外高次高調波パルスを分離するための熱特性に優れたビームスプリッター材料を探査し，その特性を計測した結果を発表した。

フォトリフラクティブ特性を示す有機ポリマーを用いた分布帰還型可変フィルタを開発するに当たり，材料の吸収特性とフィルタ特性について明らかにした。

ファイバ非線形干渉計を用いたフェムト秒スクイーズドパルス発生に関して，ソリトン伝播特性から最適化した実験結果を発表した。

青色GaN半導体レーザー励起Prファイバレーザーの多重遷移特性及び波長同調実験結果を報告した。

波長800nmのフェムト秒レーザーによる2光波混合増幅をFe:LiNbO3, Rh:BaTiO3結晶を行って実現した結果を報告した。

時空間集光光学系を用いたフェムト秒2光子励起蛍光顕微鏡の軸方向分解能とパルス整形によるSN特性の向上に関して報告を行った。

波長800nmと400nmのフェムト秒レーザーを用いて多光子イオン化させたエタノールの解離イオン化反応経路の変化を条件を変えて詳細に計測した結果を報告した。

コインシデンス光イオン化質量分析計測器を用いて，エタノールの多光子イオン化のチャネル分岐比を定量的に計測した結果を発表した。

フェムト秒レーザーの機能性を向上させるための，時間域および空間域制御のための手法と実験結果を講演した。本講演は，学会賞受賞記念講演である。

極端紫外高次高調波を波長800nm励起パルスから分離するためのビームスプリッター材質に関すする探査結果を発表した。

走査型近接場顕微鏡と周波数干渉計測を組み合わせて，金ナノ構造のフェムト秒励起局在プラズモン場の振幅・位相波形を計測した結果を報告した。

フェムト秒レーザー励起によるエタノール分子の解離性イオン化経路を解析するためにフラグメントイオン運動量－光電子エネルギー同時計測法を用い，レーザー波長800nmと400nmによる違いを調べた。波長および光強度により直接励起および基底イオン準位を介した非断熱遷移の比か変化することを明らかにした。

フェムト秒ファイバ非線形光学を用いたスクイーズドパルス発生における原理，実験結果と課題について講演を行った。

Fe:LiNbO3フォトリフラクティブ結晶を用い，波長800nmにおける1光子吸収過程で体積ホログラムの書き込み，読み出しが可能であることを示した。フェムト秒レーザーを用いると実効的な回折格子体積が減少するため，周波数チャープによる長パルス化が有効であり，繰り返し周波数1kHzの増幅パルスを用いた2光波混合増幅が可能であることを実験から明らかにした。

走査型近接場顕微鏡と周波数干渉計測を組み合わせることでフェムト秒励起局在プラズモンの振幅，位相時間特性を計測できることを実証した。また，フェムト秒レーザー波形を整形することで局在プラズモン場を時空間制御できることを理論モデルから明らかにした。

フェムト秒レーザー励起局在プラズモン場の時空間制御の概念と必要な計測手法を実験結果をもとに講演した。

金ナノ構造におけるフェムト秒レーザー励起局在プラズモンを時空間制御するアイデアと，その実証に必要な計測手法を実証した。計測法には，走査型近接場顕鏡と周波数干渉を組み合わせた手法と，暗視野顕微鏡と相関計測を組み合わせた手法を考案し，その有用性を実証した。