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[プレスリリース]
ナノメートル・スケールトランジスタ動作中温度の正確な測定に成功
~次世代半導体集積回路の長期間安定動作へ道~

研究
2013/12/09  慶應義塾大学
独立行政法人産業技術総合研究所

慶應義塾大学理工学部電子工学科の内田建教授らは、独立行政法人産業技術総合研究所【理事長 中鉢良治】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸正剛】と共同で、産総研つくばイノベーションアリーナ推進本部【本部長 金山敏彦】スーパークリーンルーム運営室の支援を受け、先端トランジスタの作製・評価技術を駆使し、さまざまな構造の微細トランジスタにおける動作中温度の正確な測定に成功しました。ナノメートル・スケールの素子では動作中の温度上昇が無視できないことを見いだし、温度を下げるための素子設計指針を開発しました。

この研究成果によって、次世代のPCやスマートフォンなどに用いられる半導体集積回路の高信頼性化が期待されます。

本研究成果の詳細は、米国ワシントンDCで12月9日~11日(現地時間)に開催されるIEEE International Electron Devices Meeting(IEDM2013)にて発表されます。

プレスリリース全文は、以下をご覧ください。

プレスリリース(PDF)