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[プレスリリース]
CMOSプロセスで作製したナノ光共振器の世界最高性能を達成
-光回路実用化に向け基本構成素子の大量生産に道筋-

研究
2015/06/19  慶應義塾大学

慶應義塾大学大学院理工学研究科の大岡勇太(修士課程1年)と同理工学部電子工学科田邉孝純准教授らの研究グループは、CMOS互換プロセスを用いて世界最高性能をもつナノ光共振器を作製することに成功しました。

フォトニック結晶はシリコン薄膜にナノスケールの穴を周期的に空けた構造であり、この構造を利用するとナノ空間に光を閉じ込めることが可能となります。今回、フォトニック結晶による光ナノ共振器を、集積回路と同じCMOSプロセスを用いて作製し、同手法を用いた物としては世界最高の光の閉じ込め性能(Q値)を達成しました。作製が安価で量産化を実現できるため、光集積回路の実用化に向けた大きな進歩となります。本研究では光回路で信号処理を行うことを念頭に、光で光のオンオフを制御する超高速なスイッチングの実現も示しています。

この研究成果は2015年6月18日に、英国Nature Publishing Groupが出版するScientific Reports誌に掲載されました。

プレスリリース全文は、以下をご覧ください。

プレスリリース(PDF)

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