[プレスリリース]
固体記憶媒体SSDメモリーに関する3つの革新的新技術を開発、家電の超小型化へ－寿命10倍化、世界最高速（毎秒7ギガビット）、0.52W給電－

JST課題達成型基礎研究の一環として、東京大学 大学院工学系研究科の竹内 健 准教授、慶應義塾大学理工学部の黒田 忠広 教授と石黒 仁揮（イシクロ ヒロキ）准教授らの研究チームは、非接触型の固体記憶媒体ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）メモリーの研究開発において、キー技術である1）高信頼メモリーシステム、2）ワイヤレス通信システム、3）ワイヤレス給電システムの最先端研究を進めてきました。
同チームは、今回、1）フラッシュメモリーの寿命を最大10倍（実験値）に延ばすことができる誤り訂正回路、2）メモリーモジュールを回路基板に載せるだけでプロセッサーと双方向通信できる世界最高速（1ピン当たり毎秒7ギガビット）の非接触メモリーシステム、3）最大0.52Wの電力を数マイクロ秒の応答速度（従来比2桁高速化）で伝送できる非接触給電システムの3つの革新的新技術を開発しました。これらの研究成果である技術を統合することにより、128ギガビット以上の大容量ワイヤレスSSDメモリー製作が可能となるため、データーセンターでは従来のハードディスクからSSDメモリーへの置き換えにより処理速度の10倍高速化、消費電力半減化が可能になるほか、世界市場1兆円規模のメモリーモジュールビジネスに大きな経済効果をもたらす可能性があります。同技術はまた、将来、小型バッテリーフリーの大容量メモリーカードを実現する際にも鍵となる革新技術としても期待されます。
本研究成果は、2012年2月19日から23日（米国西部時間）に米国・サンフランシスコで開催される「国際固体素子回路会議（ISSCC 2012）」で発表されます。
本国際会議は固体素子回路分野では世界的研究のオリンピックと称される権威あるもので、竹内チームが論文3件同時に採択されたことは快挙といえます。

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