ヘッダーの始まり
グローバルナビゲーションの始まり
パンくず式ナビゲーション
左カラムの始まり
メインカラムの始まり

[プレスリリース]
飛躍的にエラーを削減するSSDメモリの開発に成功
-世界最速・毎秒12ギガビットの非接触インタフェースも実現-

研究教育
2011/02/18  慶應義塾大学
科学技術振興機構
東京大学

JST課題解決型基礎研究の一環として、東京大学 大学院工学系研究科の竹内 健准教授、慶應義塾大学 理工学部の黒田 忠広教授と石黒 仁揮(イシクロ ヒロキ)准教授らの研究チームは、非接触型のソリッド・ステート・ドライブ(SSD)メモリの研究開発において、エラーを飛躍的に削減し、電力を半減以下にするデータ変調技術と、伝送線路結合を用いた世界最速の非接触インタフェースを世界で初めて開発しました。
現在、PCや携帯電話などに幅広く使われているフラッシュ・メモリを内蔵したSSDメモリは、今後さらに高信頼化が必要なデータセンター・サーバーなどへの応用が期待されていますが、長期間の使用では誤動作が生じたり、電力が大きくなる問題がありました。また、従来の磁界結合を用いた通信方式では非接触メモリカードの高速伝送が困難でした。
本CRESTチームは、SSDメモリに搭載するメモリコントローラー内で、フラッシュ・メモリに書き込むデータを変調することにより問題を解決し、エラーを95%削減することによって信頼性を向上し、43%の低電力化を実現しました。また、磁界と電界の結合を用いた伝送線路結合素子を世界で初めて近接通信に用いて、毎秒12ギガビットの通信実験に成功しました。
今回提案する世界初のデータ変調技術と伝送線路結合通信素子は、日本が強みを持つSSD技術を飛躍的に高信頼化・高速化する技術であり、今後スマートフォンからデータセンターまで社会のさまざまな機器にSSDを浸透させる可能性を秘めた革新的技術です。
本研究成果は、2011年2月20日から24日(米国西部時間)に米国・サンフランシスコで開催される「国際固体素子回路会議(ISSCC 2011)」で発表されます。


プレスリリース全文は、以下をご覧ください。

プレスリリース(PDF)

PDFマークがついている頁をご覧いただくには“Adobe Reader“が必要です。
最新版のダウンロードはこちらのウェブサイトよりお願いいたします。
Adobe Readerのダウンロードはこちら外部サイトへのリンク
Adobe Reader

HOME > 報道発表一覧 > 2010年度 > 飛躍的にエラーを削減するSSDメモリの開発に成功 -世界最速・毎秒12ギガビットの非接触インタフェースも実現-

フッターの始まり