[プレスリリース]
世界最速、毎秒ギガビット超の非接触メモリカードを開発
動作中の誤使用や劣化にも高い信頼性と安全性を確保

JST 課題解決型基礎研究の一環として、東京大学 大学院工学系研究科の竹内 健　准教授、慶應義塾大学 理工学部の黒田 忠広　教授・石黒 仁揮　准教授らは、世界最速の毎秒ギガビットを超える、非接触メモリカードを開発しました。

フラッシュメモリの大容量化により携帯電話やMP3プレーヤー、デジタルカメラが実用化されていますが、携帯電話通信の高速化、画像の高画素化などに伴い、高い信頼性・安全性を持ち、かつ、高速なメモリカードの開発が望まれていました。

本CRESTチームは、24チップものフラッシュメモリを同時に並列動作させるメモリ制御システムと、データ通信と電力伝送を無線で同時に行う回路システムを開発することで、従来のメモリカードから7.5倍の毎秒ギガビット超の高速化を実現しました。

提案する非接触メモリカードは、高速のデータ通信だけでなく、防水機能を備え、接触不良や、動作中の誤った抜き差しなど利用者の誤使用、人体との接触による静電気破壊、使用に伴う劣化に高い信頼性・安全性も確保することを目的としています。今後、メモリの信頼性の向上や通信速度の高速化、電力伝送の高効率化することで、近い将来、メモリカードを携帯電話やテレビ、車、パソコン、音楽機器、デジタルカメラ、ビデオカメラと接触させることで、あらゆる機器が“マイPC”として使えるようになります。

本研究は、東京大学 生産技術研究所の桜井 貴康　教授・高宮 真准　教授、株式会社東芝と共同で行ったものです。

本研究成果は、2010年6月16日から18日（米国ハワイ時間）に米国・ハワイで開催される「VLSI回路シンポジウム」で発表されます。

プレスリリース全文は、以下をご覧ください。